長鑫存儲擬進軍閃存市場，將與三星、長江存儲正面競爭
nashnova research
中國DRAM龍頭長鑫存儲正籌備進入NAND閃存市場，計劃在北京建立研發產線。這意味著中國存儲晶片「雙子星」的賽道邊界正在消失，DRAM與NAND的交叉競爭一觸即發。
長鑫存儲打算做甚麼？
據路透援引三名知情人士，長鑫存儲計劃在北京新廠區建立NAND研發產線，並已在北京設立研究院。
已有客戶在溝通中，其中包括一家計劃將NAND晶片用於AI系統和超級電腦存儲產品的初創企業。
目前尚未清楚研發產線何時投產，亦未知會否從試產推進至大規模商業化量產。
點解揀呢個時機切入NAND？
AI伺服器需求激增引發全球存儲晶片短缺，行業高管預計緊張局面至少持續至2027年。
這意味著→ 市場留出一個窗口：需求持續上升，但主流廠商將資本開支優先投向DRAM和HBM（高頻寬存儲器，專為AI加速晶片配套的超快記憶體），NAND產能擴充反而被壓縮。
簡單來說＝ 大廠忙住做利潤更高的AI記憶體，閃存呢邊反而冇人加產能，新玩家進場阻力細咗。
「雙子星」互踩地盤代表甚麼？
長鑫存儲與長江存儲此前各守一條賽道：長鑫做DRAM，長江做NAND。如今兩者同時向對方領地擴張——路透今年4月報道，長江存儲已向客戶送樣低功耗DRAM晶片。
這意味著→ 中國存儲產業由「分工互補」轉向「全線競爭」，兩間公司未來可能在同一客戶、同一產品方案上正面交鋒。
這反映出一個更深的信號：在美國出口管制壓力下，中國存儲企業傾向於把能做的品類全部做一遍，而非只守一個細分市場。
錢從邊度嚟？
長鑫存儲今年7月完成579.2億元人民幣（約86億美元）IPO，為今年亞洲最大首次公開募股。
路透上月報道，長鑫計劃在北京興建第二座存儲晶片工廠，正與當地政府支持的科技製造園區洽談融資。
長江存儲母公司長存超導亦在籌劃上海上市，目標募資330億元人民幣——兩間公司都在密集融資，為擴張儲備彈藥。
對手係邊個，差距幾大？
全球NAND市場格局：三星電子以29.3%營收市佔率排名第一，SK海力士第二，美光第三（集邦諮詢數據）。
長江存儲是中國本土NAND龍頭，但2022年被列入美國出口管制實體清單，獲取先進設備受限。
簡單來說＝ 長鑫存儲面前有兩道坎——既要追上國際三巨頭的技術代差，又要在本土同長江存儲直接搶客。
做唔做得成，關鍵睇乜？
核心懸念：研發產線能否由試產推進至大規模量產——這是跨賽道戰略能否落地的分水嶺。
兩間「雙子星」均獲國家大基金和地方政府資金支持，長鑫依托合肥，長江依托武漢，折射出各地方政府爭奪戰略產業的競爭格局。
這意味著→ 資金並非最大瓶頸，真正考驗在於技術積累和客戶驗證——NAND的工藝路線與DRAM差異顯著，並非有錢就能快速複製。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。