50家亞洲機構調研：存儲板塊情緒偏弱，雲廠商資本開支成核心變量
Miles Bennett
超50家亞洲機構投資者在港路演中集中反饋：存儲板塊情緒在6月財報季前整體偏弱，雲廠商數據中心資本開支與賣方存儲市場預測之間的嚴重背離，是當前壓制估值的核心矛盾。
雲廠商資本開支點解成咗存儲板塊嘅「命門」？
賣方分析師對存儲市場空間的上調幅度，已大幅超過雲廠商實際給出的資本開支指引——預期跑在了花錢的人前面。
部分投資者預計，未來3–6個月市場會把對應週期的資本開支預期推高至1萬億–1.5萬億美元區間。
這意味著→ 若雲廠商最終上調幅度有限，市場會直接解讀為存儲利空。研究方判斷，這一個變量目前佔存儲板塊情緒權重約70%。
漲價動能走弱，韓國廠商利潤預測仲喺度被下修？
2026年二季度過後，存儲同比漲價動能與環比漲價彈性同步走弱。
韓國存儲廠商二季度營業利潤預測持續被下修，加重了市場觀望情緒。
簡單來說＝ 漲價的力氣不夠了，利潤預期跟住縮水，6月財報季前投資者不敢輕易落注。
長協模式——投資者變樂觀咗，定只係問題換咗個問法？
與3–6個月前相比，投資者的關注點已從「長協是否可行」轉向「存儲廠商如何依托長協與核心客戶建立長期綁定」。
但超過半數機構仍持謹慎態度：短期內長協對現貨價格和利潤率的實際影響尚不明確，市場擔憂短期利潤存在天花板。
這意味著→ 研究方從完整週期角度反駁悲觀論——長協的核心價值不在於推高當前利潤，而在於平滑下行週期中價格50%–70%的暴跌風險。
HBM均價到底能漲幾多——買方同賣方點解差咁遠？
超過半數買方機構預期明年HBM均價同比翻倍，邏輯係：只有每GB價格翻倍，HBM利潤率先能顯著追上普通DDR5內存。
研究方判斷合理漲幅區間為25%–30%，需結合HBM對整體DRAM供需平衡的損耗比例（HBM生產會消耗大量DRAM產能，擠壓普通DRAM供給）綜合測算。
簡單來說＝ 買方想要「翻倍先夠本」，研究方認為「漲三成已經係合理天花板」——分歧根源在於對HBM產能擠出效應的測算不同。
DRAM同NAND邊個更緊缺——中國廠商會唔會搞局？
兩者均偏緊，但DRAM緊缺程度更高：DRAM自給率僅50%–60%，NAND為70%–80%。
投資者對中國存儲廠商競爭風險暫無明顯擔憂：若中國DRAM廠商將新增產能傾斜供給本土AI推理晶片配套HBM，反而會分流傳統通用DRAM的供給壓力，疊加行業整體缺貨，對海外龍頭衝擊有限。
供應鏈消息顯示，中國頭部NAND廠商明年新建廠房將同步佈局DRAM和NAND產線，潔淨間產能各佔一半，有望在2028年前持續優化NAND供需格局。
韓國3萬億美元AI投資計劃——利好定利空？
市場初期解讀偏負面：擔憂該計劃會弱化行業供給約束、加速擴產，稀釋存儲廠商的定價權。
研究方認為，資本開支落地存在大量變量，供給擴充是承接AI海量資本開支的必要條件，先能保障存儲維持合理的產業價值佔比。
這反映出 當前市場對存儲板塊的核心判斷框架：雲廠商資本開支的實際上調幅度，將是本輪情緒能否扭轉的關鍵驗證節點。
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