800VDC架構加速落地，重塑AI資料中心電源晶片需求
Nashnova编辑部
AI數據中心正加速轉向800V直流供電架構，GaN、SiC及垂直供電晶片需求格局將被系統性重塑——集邦科技判斷，這一變化在英偉達Rubin Ultra GPU於2027年量產後將更為顯著。
點解數據中心要由交流電切換去800V直流？
AI機架功耗正向兆瓦級攀升，傳統交流配電每多一次電壓轉換都在燒錢燒電。
800VDC架構的核心思路：簡單來說＝把中間商斬掉——固態變壓器（SST）（一種用半導體代替傳統鐵芯變壓器的設備）直接將13.8–35千伏中壓交流電變成高壓直流電送入機架，轉換損耗更少。
這意味著→ 電源效率（PUE）提升的好處不止慳電，仲可以同步壓縮冷卻需求、佔地面積同銅纜成本，幫營運商對沖AI基建的重資本開支壓力。
GaN同SiC各自擔當咩角色？
在800VDC架構入面，分工好清晰：GaN器件負責直流降壓，SiC器件同時用於Power Sidecar機櫃（向計算機架供800V直流電的配電櫃）同SST。
據業內估算，一座1吉瓦數據中心約需20萬個SiC模塊，主要用喺SST環節。
這反映出一個趨勢：SiC的需求增量將直接掛鈎於800VDC架構的部署速度——邊個先將SST規模化，邊個就先食到呢波SiC訂單。
垂直供電（VPD）點解被反覆提起？
VPD（垂直供電）的核心思路：將功率轉換模塊搬到處理器隔籬——基板下方、PCB背面甚至基板內部。說白了＝電行的路越短，路上嘥的能量越少，模塊體積亦越細。
好處明確：縮短傳輸路徑→ 降低寄生電阻與電感→ 減輕電源分配網絡阻抗。
但更深度的集成仍卡在熱管理上——矽、銅同封裝材料的熱膨脹系數唔一樣，貼得越近越容易因熱脹冷縮而出事，工程上仍待突破。
歐美日廠商的GaN擴產去到邊一步？
德州儀器：美國達拉斯同日本會津若松各一座8英寸GaN晶圓廠已在運營。
英飛凌：已具備12英寸GaN量產能力，2025年第四季開始向客戶供樣——這意味著→ 英飛凌喺晶圓尺寸上領先一步，單片產出晶片數量更多，成本優勢將逐步浮現。
英諾賽科（中國GaN龍頭）：截至2025年底8英寸月產能預計約2萬片，計劃五年內提至7萬片，並目標2030年啟動12英寸量產。
日本廠商同跨國合作格局點樣？
瑞薩電子：喺會津若松量產6英寸GaN晶圓，同時透過Polar Semiconductor量產8英寸。
羅姆半導體：取得台積電技術授權，計劃2027年底前喺濱松工廠啟動量產。
合作模式值得留意：安森美與格芯及英諾賽科合作擴產爭取中國市場份額；意法半導體既與英諾賽科合作，亦喺法國圖爾運營自有8英寸廠。這反映出GaN擴產唔係單打獨鬥——跨國結盟與產能互補正成為主旋律。
2027年係咪呢輪周期的關鍵驗證節點？
集邦科技分析師姚嘉洋判斷：800VDC架構的轉變將在英偉達Rubin Ultra GPU於2027年量產後變得更為顯著。
這意味著→ 而家歐美日廠商集中擴產的GaN同SiC產能，押注的正正係2027年前後需求的集中釋放。
簡單來說＝如果Rubin Ultra量產節奏符合預期，擴產投資有回報；如果推遲或需求唔及預期，產能過剩的風險就會浮現——2027年係呢輪電源技術周期的成敗分水嶺。
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