應用材料聯合鎧俠推進AI存儲與3D堆疊研發

nashnova research

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應用材料宣佈鎧俠加入其耗資50億美元的EPIC研發中心，聯合攻關AI時代存儲密度與3D堆疊難題——這意味著存儲設備從材料端到量產端的研發鏈條正在加速合攏。

EPIC中心是甚麼，鎧俠為何要加入？

EPIC中心（設備與工藝創新及商業化中心）是應用材料在矽谷斥資50億美元興建的半導體設備研發設施，預計2026年投入運營。

簡單來說＝它是一個把「實驗室新技術」快速搬進「工廠量產線」的中轉站，目標是壓縮從研發到出貨的時間。

鎧俠是全球主要閃存製造商之一，此次以「創新合作夥伴」身份入駐，與已有的晶片製造商、設計商、設備商和高校並肩研發。

更高密度的存儲單元——開發性能更強、密度更高的先進存儲結構。

多晶片堆疊——在有限空間裡把更多存儲晶片疊起來，同時提升性能。

先進封裝與互連——改善晶片疊好之後彼此之間的連接質素與速度。

材料工程創新——從材料端解決「實驗室做到，工廠做不到」的量產難題。這意味著→合作覆蓋了從單顆晶片到封裝成品的全鏈條。

應用材料CEO加里·迪克森（Gary Dickerson）表示：「AI基礎設施需要大幅更高密度、更大頻寬和更優能效的存儲方案。」

鎧俠CEO太田洋（Hiroo Ota）強調，存儲進步有賴於突破材料與工藝創新的極限。

但雙方未披露財務條款，亦未給出商業產品的具體時間表。這意味著→合作仍處於早期框架階段，離可量產產品還有距離。

應用材料2026財年Q3數據：DRAM收入佔半導體系統業務比重從上年同期的22%升至26%。

這反映出HBM（高頻寬存儲，專為AI晶片配套的高速記憶體）與AI伺服器驅動的存儲投資已成為設備需求的關鍵增長極。

公司對2026年下半年DRAM、先進代工、邏輯生產及先進封裝需求持樂觀態度，並預期2027年延續強勁增長。

Centura Prime Epi外延系統：在晶體管關鍵部位選擇性生長特殊材料，提升DRAM和HBM的速度與能效。

Opta Quad CMP（化學機械平坦化，把晶片表面「磨平」的工藝）系統：專為混合鍵合（一種令兩塊晶片直接貼合的工藝）改善晶圓內均勻性。

Nokota Vmax 2電化學沉積系統：覆蓋從TSV（矽通孔，晶片上下層之間的垂直通道）填充到微凸塊的3D堆疊全流程。Producer Avila 2 PECVD系統則強化超薄DRAM晶片的機械穩定性，支持12層、16層及更高層數HBM堆疊。

本季度新增三項合作：博通聚焦下一代AI晶片封裝；加州大學伯克利分校研究AI計算的材料與工藝創新；Screen半導體聯合開發先進晶片工藝。

簡單來說＝EPIC正在變成一個「半導體產業朋友圈」——從設計（博通）到製造（鎧俠）到設備（Screen）到基礎研究（伯克利），各環節都有人進場。

鎧俠加入後的核心驗證節點：材料工程突破能否轉化為可量產的HBM與3D NAND產品——這是合作商業價值的最終考題。

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