ASML聯合主要晶片廠商推進High NA EUV大尺寸光罩
nashnova research
ASML宣布聯合台積電、三星等廠商，為新一代High NA EUV光刻機升級更大掩模版，解決大型數據中心晶片製造的尺寸瓶頸，量產目標鎖定2033年。
晶片越做越大，現有光刻機到底卡在哪？
英偉達、谷歌等公司設計的數據中心晶片，面積已逼近現有EUV光刻機的約800平方毫米打印上限。
ASML的新一代High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機——能刻出更細電路的升級版光刻機）精度更高，但因採用較小的掩模版（光刻時投射電路圖案的「底片」），反而印不了這麼大的晶片。
這意味著→ 精度升級了，尺寸卻縮水——對需要「又精又大」的數據中心晶片來說，這是個實際矛盾。
ASML打算怎樣解決？
ASML計劃將High NA EUV的掩模版升級到更大尺寸（12英寸級別），令新設備能製造與當前最大晶片同等面積的產品。
ASML首席技術官馬可·彼得斯對路透社表示：「如果整個行業能夠實現這一目標，這些系統的產能將提升40%。」
簡單來說＝ 掩模版變大，一次能印的面積更大，同一台機器單位時間產出就更多——這是產能和晶片尺寸的雙重突破。
台積電、三星、SK海力士分別何時跟進？
台積電：計劃2030年起將High NA EUV用於先進製程大規模量產。
三星：計劃2028年將High NA EUV引入DRAM記憶體晶片量產。
SK海力士：正在評估加入12英寸掩模版聯盟，目標同樣是2028年用於DRAM量產。
這反映出 邏輯晶片（台積電）和記憶體晶片（三星、SK海力士）的節奏不同——記憶體廠商反而更積極。
這條時間線靠譜嗎？
ASML自己的節奏是：2031年展示採用大掩模版的試驗產線，2033年實現量產就緒。
目前英特爾已將High NA EUV用於筆記本電腦晶片生產，但台積電和三星尚未大規模量產。
這意味著→ 從「試驗線」到「量產就緒」還有兩年窗口，而頭部晶圓廠的採用進度將成為未來數年半導體設備產業鏈的核心驗證節點。
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