伯恩斯坦：AI數據中心CPO規模化推遲至2030年後

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伯恩斯坦將共封裝光學（CPO）規模化時間表從市場此前預期的2027—2028年大幅後移至2030年以後，真正成熟或要等到2035年——這意味著光互連供應鏈與高端銅箔材料鏈之間的受益窗口正在重新洗牌。

CPO到底推遲了多久，市場為何要在意？

伯恩斯坦10月15日發布專家研討會紀要：英偉達CPO交換機2026年夏出貨，但有意義的行業採用從2030年以後才開始，技術成熟要到2035年及以後。

這意味著→ 與此前市場共識的2027—2028年規模部署相比，整整後移了兩到三年，光模組公司短期增長預期需要重新計算。

紀要核心嘉賓布拉德·史密斯曾任英偉達銅纜與光互連產品組合負責人，他給出的框架是：機架內盡量用銅，交換機周邊逐步引入CPO，機架外長距離走單模光纖。

一條核心物理曲線：信號速率越高，銅纜可靠傳輸距離越短——25Gbps約7米，200Gbps約18英寸，400Gbps約12英寸，銅開始「消失」。

英偉達Vera Rubin機架內約5000根短銅纜，最長走線約18英寸。若全換成光，需額外約60千瓦功耗和約200萬美元成本。簡單來說＝只要GPU之間距離壓在18英寸以內，銅就是最平、最慳電、延遲最低的方案，冇理由換。

但摩根士丹利給出關鍵約束：200G/lane速率下，銅纜鏈路難以覆蓋超過約100顆加速器的縱向擴展域。英偉達單機架72或144顆GPU仍可留在銅裡；NVL576達576顆，已超銅覆蓋範圍。這反映出決定光何時進入的不是機架大小，而是縱向擴展域的規模。

良率關：台積電COUPE光引擎單件良率約95%，但一台交換機需要32個，整機良率僅約20%。簡單來說＝光纖耐唔住焊接高溫，只能事後手動貼裝，一根偏咗成台報廢——量產效率極低。

測試關：單模光纖纖芯截面是矽波導的數百倍，微小偏移就令插損大幅跳變；環形調制器諧振隨溫度漂移，而絕緣層上矽的埋氧層導熱比矽差約100倍；目前並無統一測試標準。英偉達2027年起才會新增光電同步的最終測試。

可維護性關：CPO交換機任何一個光引擎壞掉，可能整台停用。這意味著→ 對數據中心運維來說，一個零件故障等於一台機器故障，運維風險遠高於可單獨更換模組的方案。

並沒有。近封裝光學（NPO，將光引擎從前面板移到緊鄰晶片的電路板上，但不與晶片同封裝）通過插座連接，可先貼光纖、測試合格後再插入——伯恩斯坦認為NPO能獲得CPO的大部分好處，而且更易製造，業內預計2027年就緒。

華為數據佐證：其Hi-ONE NPO方案令無故障運行時間翻倍、系統可用性升至99.8%，5500個Hi-ONE引擎替代48000個800G光模組，系統功耗降低超550千瓦。

這意味著→ NPO正在成為CPO推遲後的過渡主力，光互連的需求並未消失，只是換了一種技術路徑先落地。

10月12日英偉達與思科聯合發布USFP可插拔光模組標準——首個支持每通道400Gb電信號的可插拔形態，初始總帶寬6.4Tb/s，未來可擴展至12.8Tb。

高盛10月14日點評指出：英偉達親自主導400G一代可插拔標準，說明可插拔至少會延續到下一代。這反映出在CPO成熟之前，可插拔路線獲得了英偉達的「官方背書」。

說白了＝英偉達用行動表態——短期內不押注CPO做全部互連，而是讓可插拔先跑完下一程。

CPO將高頻走線從數十厘米縮至幾毫米，覆銅板可降至M6級、HVLP2至3級銅箔；而USFP保留了交換晶片到前面板數十厘米、速率翻倍的400G電通道，反而需要HVLP5及以上超低損耗銅箔。

這意味著→ 可插拔延續得越久，交換機裡的銅就越要往高端升級——高端銅箔廠商的受益窗口被拉長了。

CPO規模化後移，最終在光學供應鏈與高端銅箔材料鏈之間重新分配了受益時間窗口：銅箔廠商多食兩到三年紅利，光模組廠商的爆發期相應後延。

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