伯恩斯坦：存儲價格將在Q2迎來主升浪，但Q3將明顯放緩
Alina Collins
伯恩斯坦6月報告顯示DRAM與NAND合約價Q2環比漲約60%、略超預期，但消費端需求破壞已開始浮現，Q3漲勢將明顯收窄——存儲板塊的定價高峰窗口正在關閉。
DRAM第二季度漲了多少，邊個品類最猛？
按加權均價計算，傳統DRAM合約價Q2環比漲64%，超出伯恩斯坦此前模型預測。
分品類：PC DRAM漲約46%，伺服器DRAM漲約53%，移動DRAM漲約80%，消費級DRAM漲約85%。
這意味著→ 漲幅由最貼近手機的消費端往上遞減——越靠近終端消費者的品類，前期砍單越狠，補庫反彈也越猛。
伺服器DRAM供需缺口有幾大？
5月伺服器DRAM合約價環比再漲0至3%，混合均價較Q1高出約53%。
供應商持續將產能向伺服器DRAM傾斜；HBM4（下一代高頻寬記憶體）量產延遲釋放的晶圓產能，亦被旺盛需求迅速吸收。
美國雲端廠商仍是優先供貨對象，中國雲端廠商的長協談判尚未結束，預計取得的供貨量及條款均不及美國客戶。
簡單來說＝ 伺服器記憶體依然是賣方市場，AI需求將產能食得好盡，中國買家排在後面。
手機廠商頂得住這個漲幅嗎？
三星和美光要求移動DRAM Q2加價80%以上，SK海力士初步報價漲55至60%，TrendForce預計最終成交價接近80%。
但連續兩季大漲後，手機OEM已開始削減生產計劃——TrendForce預計今年智能手機出貨量將下跌16%。
這意味著→ 需求破壞效應正在兌現：價格漲太快，下游買唔起就少買，反過來壓制下半年漲幅。移動DRAM下半年漲幅預計收窄至每季0至10%。
NAND嗰邊情況點樣？
5月NAND晶圓合約價環比僅漲1至2%，漲勢明顯收窄——模組廠商對高價晶圓採購趨於審慎。
但移動NAND（eMMC/UFS）Q2合約價預計漲75至80%，SSD合約價預計漲約70%，撐起了NAND整體約60%的混合漲幅。
簡單來說＝ 上游晶圓漲唔動了，但下游成品（手機存儲同固態硬碟）仲喺度漲——中間的模組廠商兩頭受壓。
伯恩斯坦對NAND結構性持審慎態度，主因是長江存儲等中國廠商帶來的競爭壓力持續上升。
現貨市場同長協談判釋放咗咩信號？
5月PC DRAM現貨價回暖：DDR4環比漲5%，DDR5漲7.4%；伺服器DRAM模組現貨價漲1.6至3.1%。
伺服器DDR5模組現貨價仍大幅高於合約價——這反映出供需缺口依然突出，AI需求支撐下現貨短期大跌可能性低。
長協談判方面，供應商與美國雲端廠商已基本談完，與中國雲端廠商及消費端客戶的談判仍在進行。伯恩斯坦認為長協覆蓋面越廣，市場回調時的緩衝效果越明顯。
Q3之後點睇，拐點喺邊？
PC DRAM Q3價格預期上調至環比漲8至13%（此前預測3至8%），但相較Q2的46%仍是顯著減速，Q4預計進一步放緩。
評級方面：伯恩斯坦對三星電子、SK海力士、美光、閃迪均維持「跑贏大市」，對鎧俠維持「跑輸大市」。
這意味著→ 伯恩斯坦的判斷是：存儲價格大概率在2027年下半年觸頂，2028年隨新增產能釋放開始回落。當前Q2的超預期漲幅能否延續，取決於消費端需求疲弱的深度與持續時長。
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