伯恩斯坦：中国大陆记忆体产能激增，引爆晶圆设备超級周期

全球AI算力竞赛与中美科技博弈嘅持续升温，正喺将中国半导体设备市场推向新一轮超级扩张周期。Bernstein喺最新报告中大幅上调中国晶圆制造设备（WFE）市场预测，并指出中国设备厂商嘅订单增速远超市场预期。

Bernstein将2026至2028年中国WFE市场规模预测分别由550/590/610亿美元上调至580/670/770亿美元，其中2028年修订幅度最大，上调260亿美元，涨幅达26%。此次上调嘅核心驱动力来自存储器资本支出嘅超预期提速。

长鑫、长江同步开启多厂扩产

Bernstein渠道调查显示，长鑫存储同长江存储均已显著加速扩产计划：两家公司将分别喺2026年各新建一座晶圆厂，2027年再各新增两座，2028年仲有更多产能待释放。

一个关键嘅结构性优势值得关注：中国存储企业新建洁净室只需约一年，而三星、海力士、美光等全球同行通常需要两至三年。呢意味喺接下来两年内，中国存储嘅资本支出释放速度将远超全球竞争对手。与此同时，两家公司预计2026年各自产生数百亿美元现金流，叠加IPO募资，资本弹药充裕，扩产嘅资金约束已基本消除。

AI本土化驱动需求正反馈

报告揭示了一条此前较少被系统阐述嘅逻辑链：全球DRAM同NAND供应持续趋紧，令国内客户对本土存储芯片嘅采用意愿大幅提升，尤其系此前因技术差距而迟迟未能规模化应用嘅DRAM。

随着英伟达持续遭到中美双方封堵，中国AI算力本土化进程加速，对HBM同高端固态存储嘅自主需求同步攀升，进一步拉动DRAM同NAND产能投资，形成需求叠加效应。Bernstein将呢一逻辑标注为现有存储预测之外嘅额外上行风险。

国产化率迎来结构性跃升，2027年系关键拐点

Bernstein给出咗一份清晰嘅国产化率时间表：2025年自给率约为21%，预计2026年升至26%，2027年跳升至34%，2028年达到43%。其中，2027年DRAM设备国产化被视为最重要嘅结构性拐点。

喺2025年之前，国产化推进主要集中在先进制程同NAND，成熟制程同DRAM进展迟缓。但渠道调查最新反馈显示，本土成熟节点设备嘅性能已达到同海外竞品相当嘅水平，且报价低约20%。呢标志住国产化驱动力正从“政策强制”转向“经济性自发”，替代进程将更具持续性。

进口数据下滑系“假信号”

2026年年头至今，中国WFE进口额同比下滑13%，部分市场人士据此对设备景气度产生疑虑。Bernstein明确指出呢系对数据嘅误读。中国设备厂商从接单到确认收入通常需要约一年，而 ASML、应用材料等海外厂商发货即可确认；进口数据嘅下滑，反映嘅系出货时间窗口嘅错位，而唔系需求嘅实质减弱。

五大全球设备商（ASML、应用材料、泛林、科磊、东京电子）普遍指引中国收入占比下降，但根本原因系海外先进制程同DRAM需求更旺盛、推高咗整体分母，而非中国绝对需求嘅萎缩。以美元绝对值衡量，Bernstein预计中国进口额将喺历史高位基础上保持平稳乃至略增。