大空頭乘里加碼做空美光，押注記憶體供應過剩
nashnova research
邁克爾·伯里披露已大幅加碼做空美光、Nebius、SOXX及Palantir，核心邏輯是HBM擠佔產能後普通DRAM供給正在反彈，記憶體價格將面臨下行壓力。
伯里這次做空了甚麼、規模有多大？
做空標的覆蓋四條線：美光科技（直接建空頭倉位）、Nebius（AI基礎設施）、iShares半導體ETF（SOXX）及Palantir。
伯里本人形容此次操作「規模相當大」，其中美光以約1,051美元的價格直接做空，沒有使用認沽期權。
這意味著→ 他選擇直接做空而非買期權，是因為美光的期權金過於昂貴——說明市場已經在為波動定價，做空成本本身就很高。
他的核心邏輯是甚麼——記憶體市場到底發生了甚麼？
伯里認為，此前記憶體市場的短缺不是需求端的結構性繁榮，而是供給端的階段性錯位。
簡單來說＝ 三星、SK海力士、美光為了給AI數據中心生產高頻寬記憶體（HBM，一種專供AI晶片的高速記憶體），把大量產線從普通DRAM（日常裝置使用的標準記憶體）上挪走了，普通記憶體就「人為」變緊缺了。
現在廠商正在恢復普通DRAM產能，疊加全球多地新增供應釋放，伯里判斷供需缺口將收窄，價格下行壓力將逐步顯現。
宏碁CEO的警告為何成了導火索？
宏碁CEO陳俊聖公開警告：記憶體庫存正在積累，多個地區的新增供應將衝擊市場，價格壓力預計2027年底前後顯現。
伯里引用該訪問後寫道，儘管解讀此消息「充滿不確定性」，但方向「與我所相信的判斷相吻合」。
這反映出伯里的做空並非基於單一信號，而是在自身供需分析的基礎上，找到了產業端的印證性證據。
這筆交易是怎樣一步步搭建起來的？
2025年第三季：旗下Scion Asset Management建立英偉達和Palantir的大額認沽期權倉位。
2026年6月下旬：以個人名義做空英偉達、應用材料及SOXX，並將SOXX認沽期權展期至2027年3月。
兩天後：將美光納入做空標的，直接建空頭倉位——這意味著→ 從期權到直接做空，他對這個方向的確信度在升級。
市場買不買帳？短期走勢說明了甚麼？
消息公佈當日，相關股票普遍上漲：美光盤中漲逾2%，SOXX漲約1.5%，Nebius和Palantir亦小幅走高。
據Stocktwits數據，美光和SOXX的零售情緒處於「看多」區間，僅Palantir散戶情緒顯示為「看空」。
簡單來說＝ 市場整體仍在押注AI半導體的樂觀前景，和伯里的供給過剩邏輯形成直接對立——短期內他的空頭倉位在承壓。
這筆交易最終成敗取決於甚麼？
核心驗證節點只有一個：半導體產能擴張何時真正追上需求。
如果普通DRAM供給回升的速度快於AI需求的增長，伯里的邏輯兌現，記憶體價格下行；如果AI需求持續超預期，供給缺口不收窄，空頭將持續承壓。
這反映出一個更深層的市場分歧：AI驅動的半導體超級週期，究竟是結構性的長期趨勢，還是一次被供給錯位放大了的階段性繁榮？
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。