美銀：DRAM三季度環比漲20-30%，雲廠商鎖定2027年漲價合約
nashnova research
美銀證券最新調研確認三季度DRAM均價環比漲20-30%，超大規模雲廠商已提前簽約鎖定2027年一季度更高價格——買方主動接受漲價寫入合同，標誌着存儲晶片漲價週期進入新階段。
漲了多少，誰在買單？
美銀分析師西蒙·吳9月19日發布研報：三季度DRAM均價環比漲20-30%，NAND漲幅超15%。
更關鍵的信號：超大規模雲廠商已提前簽約，鎖定2027年一季度更高的DRAM價格。這意味著→ 買方不是被動接受漲價，而是主動將漲價寫入合同，說明他們判斷供給短缺還會持續。
四季度同樣不弱，美銀預計均價至少還有個位數環比增長。
為甚麼供給這麼緊？
供需充足率（供給量÷需求量，低於100%即供不應求）是核心指標。2026年DRAM充足率僅約79%，遠低於100%的平衡線；NAND約80%，同樣緊缺。
簡單來說＝ 市場每需要100顆存儲晶片，供給端只能交出約80顆，缺口一目了然。
要到2027年才逐步回升接近均衡，NAND充足率屆時約102%。這反映出本輪漲價不是短期炒作，而是產能確實跟不上。
AI拉動有多猛？
AI伺服器對高頻寬記憶體HBM（一種專為AI晶片設計的超高速記憶體）的需求，已佔DRAM總出貨量的50%以上。
美銀預計2026年HBM市場規模達774億美元，同比增長124%；2027年進一步擴張至1,528億美元。這意味著→ HBM兩年內幾乎翻了一番再翻一番，AI對存儲的胃口遠未見頂。
PC和手機端出貨量同比僅跌約10%，終端需求並未崩塌，供需缺口主要由AI拉動所致。
2027-2028年價格會怎麼走？
美銀上調了2027-2028年均價預測：DRAM均價假設上調8-12%，2027年約17.1美元/8Gb當量，2028年約16.2美元；NAND上調2-3%。
美銀預計2028年均價將較2027年下跌約10%（DRAM跌5%，NAND跌13%），定性為「軟着陸」。說白了＝ 價格不會斷崖式跌回去，而是緩慢回落。
再往後看，美銀預判2029-2030年將由更先進的AI晶片及高端記憶體方案驅動新一輪增長。
2萬億美元的長期圖景靠甚麼撑？
美銀將2030年全球記憶體市場總規模預測從1.8萬億美元上調至2.0萬億美元，2027-2030年年複合增速達21%。
五項支撐理由：截至2026年三季度年化運行率已超1.0萬億美元；2026年均價同比漲3-4倍而銷量增長超20%；創紀錄均價具可持續性；年度比特增長保持高雙位數；HBM、eSSD（企業級固態硬碟）等先進方案持續擴大份額。
美銀自建的「記憶體景氣指數」7月達到創紀錄的180，而週期中位水平為100、2017-2018年峰值僅120。這反映出本輪週期的強度已遠超歷史任何可比時期。
這輪超級週期的風險在哪？
雲廠商主動鎖定2027年漲價合同，說明需求側已對高價格形成共識——但共識本身亦意味著一旦需求低於預期，已簽合同會放大庫存壓力。
2028年能否實現「軟着陸」而非硬着陸，是驗證本輪超級週期持續性的關鍵節點。這意味著→ 價格小幅回落是健康的，但若跌幅超過美銀預期的10%，市場信心可能迅速逆轉。
韓國半導體出口及台灣南亞科技、群聯電子月度銷售額同比增幅均超100%，短期動能依然強勁。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。