美銀美林：AI需求能見度延伸至2028年，存儲不會供過於求
Alina Collins
美銀美林將全球半導體市場2030年規模預測從2.3萬億美元上調至2.7萬億，判斷AI驅動的晶片需求能見度已延伸至2028年，DRAM與NAND在此之前不會出現供給過剩——這份樂觀報告恰好發布於費城半導體指數單日暴跌7.9%的同一天。
2.7萬億美元的新預測，數字到底漲在哪？
美銀美林將2030年全球半導體市場規模預測從2.3萬億上調至2.7萬億美元，對應2025至2030年複合增長率28%。
2026年是爆發之年：半導體總銷售額預計同比增長103%，其中存儲晶片增速高達298%——DRAM增長309%，NAND增長295%。
這意味著→ 晶片行業用了約50年才做到第一個萬億美元年銷售額，美銀美林認為AI能幫行業在五年內再加一個萬億。
存儲晶片為甚麼到2028年都不會過剩？
美銀美林判斷，DRAM和NAND的供需比在預測期內始終維持在110%以上，價格預計2027年之前不會出現季度環比下跌。
簡單來說＝ 錢花了，但現時大量資本開支是在起廠房，不是買設備。美光2026財年資本支出指引超過250億美元（2025財年為138億美元），增量大部分用於建潔淨室，真正能產晶片的設備投入要到2028年才大規模落地。
美光愛達荷州新廠預計2027年中首批產出、2028年量產爬坡；新加坡HBM先進封裝廠預計2027年開始貢獻、2028年全面投產。地緣政治、封裝產能與電力限制也在拖慢供給擴張。
長期供貨協議（LTA）提供2至3年的供需和定價能見度，美光與Anthropic的合作是近期案例。這反映出下游客戶正在用長約鎖定未來產能，進一步收緊了可用供給彈性。
HBM從350億到2460億美元，憑甚麼漲這麼猛？
HBM（高頻寬記憶體，專為AI加速器設計的高速顯存）是本輪存儲超級週期的核心驅動力。美銀美林預計HBM市場規模將從2025年的約350億美元增至2030年的約2460億美元，複合增速34%。
每顆AI加速器搭載的HBM容量預計從2025年的187GB增至2030年的464GB。英偉達最新的Vera Rubin系統（預計2026年下半年推出）每顆加速器搭載288GB HBM4，印證了容量持續攀升的方向。
這意味著→ HBM單價也在漲：預計2027至2028年約17.5美元/GB，高於2026年的14.3美元/GB——量價齊升，存儲廠商的利潤彈性比表面數字更大。
2028年設備支出為甚麼會集中爆發？
美銀美林將2028年晶圓製造設備支出（WFE）預測從2030億美元上調23%至2500億美元（同比增長32%），2027年預測上調至1900億美元（同比增長31%）。
三大驅動力集中釋放：① 潔淨室產能在2028年前後大規模建成，設備採購隨之集中落地；② 2nm GAA工藝（全環繞柵極，一種令晶體管從三面包圍升級為四面全包的新結構）加速量產，單位晶圓設備投入更高，High-NA EUV光刻機（更高精度的下一代光刻設備）導入也是推手；③ HBM從HBM3升級至HBM4/5、NAND從300層向400層遷移，均需更多設備。
簡單來說＝ WFE佔半導體銷售額的比例會從歷史正常的十幾個百分點降至約11%，但這不是設備需求在萎縮——是存儲晶片漲價令分母急劇膨脹。更有意義的指標是每片晶圓對應的設備投入，該數字仍在持續上升。
目標價大幅上調，但誰被排除在外？
美銀美林將美光目標價從950美元大幅上調至1500美元（維持買入），應用材料目標價從540美元上調至720美元，估值基準年從2027年切換至2028年。
這意味著→ 美銀美林把賭注押在了「2028年是設備支出與存儲產能的雙重拐點」上——如果這個時間節點兌現，當前估值仍有空間。
但消費電子被明確排除在AI紅利之外：智能手機晶片預計2026年同比下滑13%，PC晶片下滑9%，與AI數據中心的爆發形成鮮明對比。
報告當天費半暴跌7.9%，怎麼理解這個反差？
這份判斷AI需求能見度延伸至2028年的樂觀報告，恰好發布於費城半導體指數單日下跌7.9%的同一天。
這反映出市場短期定價與中長期基本面研判之間的顯著分歧——短期資金在減倉，而賣方分析師在同一天上調了遠期預測。
簡單來說＝ 2028年能否如期成為設備支出與存儲產能的雙重拐點，是檢驗這份樂觀預測的核心驗證節點。市場給出的價格和分析師給出的目標價，目前各說各話。
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