美銀上調三星電子目標價至55萬韓元，2027年利潤預測506萬億韓元
Alina Collins
美國銀行將三星電子目標價上調至55萬韓元，2026至2028年每股收益預測上調約20%——核心驅動不是出貨量變化，而是DRAM與NAND的成本假設大幅下修，同樣的價格與出貨下利潤底座整體抬高。
利潤為甚麼突然跳升？
三星2Q26預告營業利潤約89.4萬億韓元，環比增長約56%，遠超美銀原先約70萬億韓元的預測及市場一致預期的80萬億韓元中段。
這意味著→ 美銀此前對新製程製造、研發及銷管費用的假設過於保守，問題出在成本端被高估，而非需求超預期。
美銀預計單季利潤將在3Q26升至113.1萬億韓元、4Q26達121.4萬億韓元，首次突破100萬億韓元關口。
DRAM利潤率80%意味著甚麼？
美銀判斷最進取的一環：即使計入特別花紅，2Q26 DRAM利潤率仍接近80%，下半年維持80%以上，2027年全年79.8%。
簡單來說＝ 每賣出100蚊DRAM，三星能淨賺近80蚊，呢個水平喺半導體行業極為罕見。
高利潤率的支撐邏輯：伺服器DDR5同HBM（高頻寬記憶體，專門供AI晶片使用的高速存儲）擠佔先進晶圓產能，唔係靠大規模放量，而係靠結構性供給緊張。
DRAM均價假設：3Q/4Q分別環比漲20%同8%，2027年全年再漲24%。
NAND同估值點睇？
NAND均價2Q26環比大漲65%，3Q再漲15%；2026年利潤率63.3%，2027年回落至56.9%。
需求錨定企業級固態硬碟（企業數據中心用的大容量存儲），供給端三星並無將資本開支平均分配到所有產品線。
55萬韓元目標價由三種方法交叉驗證：2027—2028年平均每股收益約10倍市盈率、分部估值及現金流估值均指向同一結果。
這反映出 三星的估值身份已高度存儲化——DRAM與NAND合計佔分部公允價值約91%。
2028年「軟着陸」靠甚麼成立？
美銀預計2028年DRAM同NAND均價分別同比下跌約10%同12%，但每股收益僅下降約4%，仍比2026年高約26%。
軟着陸成立的關鍵前提：新增產能被錯開釋放——P4廠主要承接1Cnm HBM與高端DRAM，P5廠房預計2028年上半年完工，新增產能更多落在2028年下半年至2029年。
HBM收入路徑：從2026年269億美元→ 2027年485億美元→ 2028年627億美元；HBM4（第四代高頻寬記憶體）佔HBM出貨比例從32.4%升至2027年的63.6%。
軟着陸會被甚麼打破？
證偽信號有明確順序：現貨價先轉弱 → 合約價漲幅收窄 → 客戶庫存上升 → P4/P5新增產能加速釋放。
這意味著→ 四個信號如果連續出現，美銀給2028年的76.4% DRAM利潤率同52.5% NAND利潤率均需下修。
簡單來說＝ 呢套模型唔係「只要HBM需求在就冇事」，而係對供給節奏有精確假設——節奏一亂，利潤率預測就企唔住。
記憶體以外的業務係咪拖緊後腿？
2Q26記憶體營業利潤約91.1萬億韓元，反而高過集團總利潤89.4萬億韓元——這意味著→ 其他業務合計在蝕錢。
晶圓代工與系統晶片虧損約2.1萬億韓元，手機虧損約3,600億韓元，家電與電視接近盈虧平衡或小幅虧損。
記憶體漲價對三星係一把雙刃劍：半導體對外銷售利潤大增，但流動通訊、電視同家電部門卻要承擔更高記憶體採購成本。手機業務2026年利潤預計僅剩1.2萬億韓元，遠低過2025年的12.9萬億韓元。
晶圓代工預計2026年虧損6.6萬億韓元，2027年虧損3.7萬億，2028年先接近盈虧平衡。若美國大型科技公司削減資本支出、HBM份額不及預期或新產能釋放過快，55萬韓元目標價能否企穩將重新成為市場焦點。
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