美銀：9月存儲現貨供給滿足率不足50%，價格仍有10%至20%上行空間
nashnova research
美國銀行渠道調查顯示9月存儲現貨供給滿足率不足50%，大廠產能優先供大客戶，模組廠拿不到貨；現貨價已創新高，但供給短缺疊加旺季仍可能再推漲10%至20%。
現貨市場到底缺到甚麼程度？
美銀8月27日報告指出，9月現貨市場供給滿足率不足50%——這意味著→ 模組廠商和白牌OEM提交的訂單，超過一半拿不到貨。
缺貨根源：三星、SK海力士、美光將產能優先分配給大型科技客戶，通用DRAM和NAND留給中小買家的份額被大幅壓縮。
簡單來說＝ 大廠的產線先供頭部客戶，剩下的才輪到其他人，而「剩下的」遠遠不夠。
價格已經漲了這麼多，為何還能繼續漲？
16Gb DDR5現貨報54美元，年初至今漲85%，創歷史新高；16Gb DDR4報91美元，同比漲879%。
NAND同樣猛漲：256Gb晶圓現貨報16.8美元，同比漲幅高達979%。
儘管當前價格已令多數IT產品處於負毛利，美銀判斷供給短缺與傳統消費旺季共振，9月現貨仍有10%至20%上行空間。
這反映出一個罕見局面：買家蝕錢也要買，因為斷供的代價更大。
英偉達的增長指引跟存儲有甚麼關係？
美銀將英偉達2027財年約70%的營收增長指引視為存儲行業的重要催化劑。
報告測算：若假設2027年各季度DRAM均價環比漲10%、出貨量增長約19%，全球DRAM銷售額增幅可能超過80%，遠高於此前預測的48%。
這意味著→ 英偉達自身的增長預測已建立在存儲短缺假設之上；若需求再超預期，漲價空間會進一步打開。
除了英偉達，還有誰在搶產能？
ASIC/TPU陣營（Google TPU、Amazon自研晶片等定製加速器廠商）正更積極爭奪HBM（高頻寬記憶體，專供AI加速卡的高端DRAM）、DRAM及NAND資源，且願意出價高於英偉達。
簡單來說＝ 不只英偉達一家在搶，定製晶片陣營也在加價爭奪，供給端被兩邊同時擠壓。
美銀還指出，若英偉達與超大規模雲端廠商消化了三大存儲廠新增產能，蘋果、中國OEM及台灣模組廠可能被迫接受更高的2027年長協報價。
大廠自己怎麼說——擴產有望緩解嗎？
三星電子：約60%至70%的晶圓產能已納入長協管理，新建產線主要用於HBM（高頻寬記憶體），明年供給滿足率仍僅約50%至60%。
SK海力士：HBM佔用大量產能，對傳統DRAM及NAND擴產不感興趣，即便長協比例提升，近期均價仍有上行空間。
南亞科技：傳統DDR4需求非常強勁，新晶圓廠設備安裝預計2027年一季度啟動，月產能目標3萬片，計劃2028年達產。
這意味著→ 即使擴產計劃落地，新增產能最快也要到2027至2028年才釋放，短期缺口無法彌補。
漲了這麼多，存儲股貴不貴？
三星、SK海力士、美光及南亞科技股價較2026年初均已上漲兩至三倍；SanDisk及鎧俠年初至今回報率超過400%。
但美銀指出，多數DRAM股票市盈率仍在4至8倍區間——這意味著→ 股價漲了，但盈利漲得更快，估值並不算貴。
合同價格方面，16Gb DDR5及DDR4合同價在35至40美元，8月環比漲幅收窄至低個位數；NAND 512Gb晶圓合同價約26美元，較2025年2月低點漲約10倍。
關鍵驗證節點：供給滿足率能否在旺季結束後回升，將決定這輪漲價周期能走多遠。
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