长鑫存储DDR5突破量产，中国模组厂商加速扩产

中国大陆主要记忆模块供应商 Power 最近表示，搭载长鑫存储 DDR5 芯片的 64GB DDR5-5600 RDIMM 服务器模块已完成多顶测试，并具大规模供货能力，面向企业客户、渠道合作伙伴及品牌客户交付。该公司还推出了基于长鑫存储技术的 Sinker DDR5 内存模块，支持包括联想在内的多个主流 OEM 合作伙伴，并面向工业及企业应用场景提供服务。

独立半导体研究机构 TechInsights 通过对 Gloway DDR5 UDIMM 模块的拆卸分析，验证了长鑫存储的技术突破达到了中国市场前所未有的先进制程水平。长鑫存储最新 DDR5 产品支持高达 8000 Mbps 的传输速率，涵盖数据中心服务器、桌面工作站及高性能个人电脑等多个细分市场。

长鑫存储 24GB 容量的芯片虽落后于三星、SK 海力士最先进的产品大约一代，但业界分析师认为，这一进展对中国本土 DRAM 产业具有重要的里程碑意义。

长鑫存储已向上海证券交易所提交科创板上市申请，计划募集约 295 亿元人民币（约合 41 亿美元），募集的资金将主要用于扩大 DRAM 产能。公司 2025 年前三季度营收同比增长约 90%，达 130.8 亿元人民币，净亏损缩窄至 59.8 亿元，显示出商业化加速度明显。

全球 DRAM 供应持续吃紧为中国大陆供应商开辟了战略性市场窗口。海外内存价格上涨叠加国内下游客户对供应链安全的迫切需求，正驱动中国大陆服务器、PC 及存储设备制造商加速引入长鑫存储产品。中国大陆商务证券的研究报告将当前 DRAM 市场定性为“人工智能驱动的结构性超级周期”。

与此同时，三星、SK 海力士及美光的市场份额合计仍超过 90%，长鑫存储的规模化突破将对三者构成长期竞争压力。据悉，长鑫存储已将 HBM3（高带宽内存）列为下一个战略目标，并计划于 2026 年底前实现量产，直接切入 AI 加速器芯片核心市场。