中國晶片設備商AI訂單創紀錄，排期延伸至2027年

nashnova research

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AI基建投資推動中國半導體設備商在手訂單達到歷史峰值，多家龍頭企業排期已滿至2027年，但零部件交付瓶頸可能拖慢訂單變現節奏。

訂單到底有多猛？

中微公司稱2026年新增訂單金額和增速均創歷史紀錄，且新簽訂單超過了同期已確認的營收。這意味著→ 設備商「賣得出去」的速度，已經快過「交得出去」的速度。

盛美半導體（ACM Research）截至2026年9月底訂單積壓達171億元人民幣（約25.5億美元），同比增長88.2%；前三季度新增訂單同比激增147%。

昆山東威科技設備訂單已全面排滿至2027年，新簽合同集中於高端機型，預計積壓訂單約45億元人民幣。

SEMI預測2026年全球300毫米晶圓廠前道設備支出將達1,490億美元，同比增長31%，2029年有望升至2,270億美元。簡單來說＝全球晶片廠未來三年要砸下的設備採購額，幾乎翻一番。

AI算力擴張正在加速HBM（高頻寬記憶體，專為AI大模型設計的堆疊式記憶體晶片）及DRAM的產能投資。中微公司前三季度訂單結構顯示，來自DRAM客戶的訂單增速超過整體增速，NAND與DRAM客戶合計佔訂單總量約60%。

先進封裝（將多顆晶片以更緊湊的方式組裝在一起的技術）同步拉動設備採購——HBM與CoWoS技術對晶圓鍵合、TSV蝕刻（矽通孔，在晶片上打垂直通道讓上下層互聯）、電鍍及檢測設備的需求持續上升。

中微公司ICP蝕刻系統（感應耦合等離子體蝕刻，用等離子體在晶片上「刻」出極細溝槽的設備）已實現140:1高深寬比蝕刻，已向內地龍頭存儲廠發貨認證。這意味著→ 中國廠商在蝕刻這一關鍵環節的技術指標，正在逼近全球前沿。

中微公司鎢沉積產品線累計出貨超過500個反應腔並獲大批量訂單；下一代原子層鉬沉積設備也在推進認證。

拓荊科技在先進存儲、邏輯及封裝領域累計出貨已超過4,400個反應腔，PECVD（等離子體增強化學氣相沉積，用於在晶片表面「長」出超薄膜層）設備佔比持續提升。

拓荊科技多款PE-ALD系統（等離子體增強原子層沉積，一層原子一層原子地精確鍍膜的技術）已通過客戶認證，支持先進存儲廠擴產。

拓荊還在開發晶片到晶圓熔融鍵合及鍵合界面空洞修復設備；下一代Dione 300 eX高速高精度晶圓到晶圓混合鍵合系統已完成客戶驗證。說白了＝將兩片晶片面對面「焊」到一起的國產設備，已經走完客戶的測試流程。

北方華創亦報告訂單增長和出貨量大幅提升，歸因於AI投資帶動的全球半導體需求走強。

東威科技2026年前三季度營收同比增長45.76%至11.03億元人民幣，歸母淨利潤同比增長90.88%至1.63億元人民幣，增長主要來自高端PCB（印刷電路板）電鍍設備需求旺盛。

中國濺射靶材（晶片製造中用於在晶圓上鍍薄膜的耗材）市場2025年約33.65億元人民幣，預計2026年增至38億元人民幣；全球半導體靶材市場最終規模可能超過70億美元，較當前翻倍以上。

這反映出上游耗材市場同步膨脹，但訂單積壓能否在零部件供應瓶頸緩解後順利轉化為營收，仍是檢驗本輪景氣周期持續性的關鍵懸念。

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