中國3D DRAM從實驗室走向晶圓廠，量產仍面臨設備瓶頸

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中國多家機構正將3D DRAM從論文推向晶圓驗證，試圖以垂直堆疊繞開EUV光刻封鎖，但量產所需的蝕刻與沉積設備能力尚未獲公開驗證，距全球2030年量產窗口仍有明顯差距。

為什麼中國要押注3D DRAM？

三星和SK海力士計劃2028年前後在DRAM產線引入高數值孔徑EUV光刻，而中國廠商完全拿不到EUV設備，受出口管制限制亦無法採購生產18納米半節距及以下DRAM的工具。

3D DRAM（將存儲單元一層一層往上疊，而非在平面上越刻越細）把密度提升的壓力從光刻轉向沉積與蝕刻。這意味著→ 即使沒有最先進的光刻機，只要蝕刻和沉積設備跟上，理論上仍能繼續提升容量。

簡單來說＝別人靠「刻得更細」提升晶片密度，中國被迫走「疊得更高」這條路。

長鑫存儲（CXMT）已是全球第四大DRAM廠商。據Counterpoint Research數據，2026年Q2其全球DRAM收入份額達10%，一年前僅4%，上一季度8%。

同期三星39%、SK海力士26%、美光25%——前三家合計佔九成，長鑫是唯一能見到份額曲線向上的追趕者。

這反映出長鑫在成熟製程DRAM上的產能擴張已見實效，但3D DRAM屬於下一代技術，目前仍處研發驗證階段，與現有收入增長是兩回事。

路線一：1T1C + IGZO——長鑫存儲與北京超弦存儲器研究院（SAMT）合作，用IGZO（銦鎵鋅氧化物，一種漏電極低的半導體材料）做存取晶體管，橫向多層堆疊，已完成12英寸晶圓驗證，成果發表於2025年IEDM。

路線二：2T0C——中科院微電子所與SAMT主導，用兩個晶體管替代傳統電容完成存儲，徹底去掉電容。2026年6月在VLSI 2026上展示了四層堆疊的3D 2T0C DRAM。

IGZO在兩條路徑中均是關鍵材料：漏電流極低，數據保持時間遠超傳統矽晶體管；且能在低溫下加工，允許在已有電路上方繼續往上疊。簡單來說＝這種材料既「記得住」又「受得了低溫」，是往上疊層的基礎。

層數越多，蝕刻深度、側壁形狀、薄膜均勻性、層間對準精度的控制難度成倍上升——這些環節全靠設備能力支撐。

北方華創近期因3D DRAM蝕刻相關進展受到市場關注，據報道已在IEEE期刊發表涉及3D DRAM製造（含蝕刻工藝）的研究。但實際工藝條件、客戶驗證及量產進展均十分有限，公開信息不足以判斷其成熟度。

這意味著→ 設備端從「能發論文」到「能上產線」之間，還有一段沒有公開驗證的距離。北方華創能否與晶圓廠形成協同，是量產能否落地的核心變量。

三星2024年IMW上披露16層3D DRAM計劃，其垂直溝道晶體管（VCT）DRAM被定位為過渡方案，三星副總裁表示3D DRAM預計2030年前後商業化。

SK海力士路線圖同樣把3D DRAM量產放在2030年前後。2025年8月，比利時imec與根特大學亦報告了相關材料研究進展。

簡單來說＝全球頭部玩家都認為3D DRAM還要四五年才能量產——中國的研發節奏並不領先，核心觀察點在於：能否靠自主的沉積和蝕刻設備突破，把這個時間表追平甚至提前。

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