中國科學院探索DUV路線實現3nm GAA製程，繞開EUV管制
nashnova research
據Digitimes報道，中科院正規劃一條基於DUV光刻的3納米GAA晶體管路線，試圖在無EUV設備條件下推進至全球最先進邏輯製程——若可行，將直接繞開出口管制的核心卡點。
中科院到底想做甚麼？
中科院旗下研究機構正規劃一條技術路線：用DUV（深紫外光刻）設備，而非EUV（極紫外光刻）設備，實現3納米節點的GAA晶體管製程。
GAA（全環繞柵極，一種令柵極從四面包住導電溝道的晶體管結構）是當前3nm及以下節點的主流架構，三星和台積電的最新製程都在用。
這意味著→ 中科院瞄準的不是「退而求其次」的成熟製程，而是當前全球最前沿的邏輯晶片節點。
點解呢件事咁重要？
當前出口管制體系的核心卡點就是EUV光刻機——ASML是全球唯一供應商，中國買不到。
簡單來說＝ EUV是做最先進晶片的「必經之路」，管制就是把這條路堵死；中科院這條路線，等於試著另開一條路繞過去。
若DUV路線走通，中國將在不依賴任何EUV設備的前提下觸及3nm——這反映出管制體系面臨的根本挑戰：被限制方總在尋找替代路徑。
而家到了邊一步？
報道來自Digitimes獨家消息，處於付費牆之後，技術細節、時間節點和量產路徑均未公開披露。
這意味著→ 目前只有方向和意圖是確認的，可行性仍是未知數。
關鍵驗證節點：DUV路線能否在良率和成本上接近EUV方案——這兩項決定了它究竟是實驗室成果，還是能走向量產的真正替代方案。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。