中國科學院用DUV光刻機探出3nm以下晶片製程路徑
nashnova research
中科院微電子所用現有DUV光刻設備完成了3nm以下GAA電晶體的早期集成，在EUV被禁售的背景下初步走通一條替代製程路線——但距離量產仍有很長的路。
他們到底做出了甚麼？
中科院微電子所完成了堆疊納米片GAA電晶體（一種把多層極薄矽片疊起來、讓閘極從四面包住溝道的新結構）的早期集成。
關鍵在於：這次用的不是EUV光刻機，而是現有的DUV設備。這意味著→ 整條工藝路線繞開了中國買不到的EUV設備。
研究員葉甜春將其定義為「中國3nm以下先進製造的全新早期MOS電晶體工藝路徑」。
為甚麼要繞開EUV？
EUV光刻機（用極紫外光在晶片上刻電路的設備）由荷蘭ASML獨家製造，是生產7nm以下晶片的關鍵工具。
美國出口管制已禁止ASML向中國客戶銷售EUV設備。簡單來說＝ 走常規路線，中國企業在7nm以下基本被卡住。
中科院這條路線的目標很明確：用手上有的設備，做出原本需要EUV才能做的器件。
這個成果距離量產還有多遠？
目前仍處於早期階段——完成的是器件級集成，而非可交付工廠運行的完整製程方案。
這意味著→ 從「做出電晶體」到「穩定量產晶片」之間，還有良率、可靠性、成本等一系列工程問題待解決。
這反映出中國在替代路線上取得了方向性進展，但能否轉化為實際產能，仍是一個未驗證的關鍵節點。
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