花旗：AI持續學習驅動HBM/伺服器DRAM/eSSD需求短缺延續至2031年

nashnova research

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花旗最新報告預計，AI「持續學習」模式將令HBM、伺服器DRAM、企業級SSD三條存儲線同時吃緊，供應缺口可能在2028年進一步加劇並延續至2031年——存儲行業正從短周期補庫存切換為結構性需求驅動。

「持續學習」是甚麼，為何比訓練更吃存儲？

持續學習（令AI模型一邊吸收新數據、一邊保留舊知識的運行方式）最大難題是避免「災難性遺忘」——模型學了新的就忘了舊的。

這意味著→ 模型必須同時保存新舊兩份數據，對計算和存儲的消耗遠高於一次性訓練。

花旗認為這一模式將成為未來五年AI發展的關鍵主題，直接拉動HBM、DRAM、eSSD三條線的需求。

花旗預計2027年HBM需求按年增長62%至752億Gb，2028年再增69%至1270億Gb——約為此前預測的兩倍。

需求增量不止來自英偉達，博通、Google等ASIC晶片（專為特定任務定製的AI晶片）亦將成為重要來源。

供給端跟不上：2027年供應缺口約21%，2028年隨ASIC出貨放量，缺口可能擴大至約36%。

近期市場熱議的HBM「降規格」現象，花旗解讀為供應不足下提高資源效率的應對方式，而非需求疲軟信號。簡單來說＝不是不想用高規格，是高規格根本不夠用，只能先用低規格頂上。

花旗預計2027年伺服器DRAM需求按年增長約51%，届時伺服器將貢獻全球DRAM需求的約67%。

當部分KV Cache（AI推理時緩存中間結果的記憶體區域）等工作負載從HBM向伺服器DRAM卸載時，反而進一步推高了DRAM和eSSD的需求。

這反映出 AI存儲需求並非在各層級間「此消彼長」，而是總量持續膨脹，每一層都在變得更緊張。

花旗還指出，存儲客戶正將長期供應協議從三年延長至五年——這意味著→ 市場對未來多年存儲需求的信心正在提高。

花旗預計2027年企業級SSD需求按年增長52.9%，高於整體SSD約45%的增速。

核心驅動力是KV Cache卸載：AI加速器降低HBM配置後，越來越多工作負載轉移至外部存儲，高容量QLC企業級SSD（用四層存儲單元實現更大容量的固態硬盤）有望獲得更多需求。

此外，包括中國在內的AI數據中心正考慮以SSD替代HDD，可能從2027年起進一步擴大eSSD市場空間。

NAND供需同樣趨緊：2027年供應缺口約6.1%，主因存儲廠商優先擴產DRAM和HBM，擠壓了NAND新增產能。

花旗預計全球DRAM和NAND資本開支將從2026年的約549億美元增至2027年的804億美元，按年增長46.5%。

其中DRAM資本開支預計達586億美元（按年+51.6%），NAND達218億美元（按年+34.2%）；到2031年合計可能達到約3225億美元。

價格方面，2026年DRAM綜合均價大漲242.4%之後，2027年仍可能按年上漲23.1%。

這意味著→ 存儲行業的利潤周期大概率會比過去更長——因為這一輪的驅動力不是手機、PC補庫存，而是AI架構的結構性變化。

存儲領域首選：三星電子、SK海力士、美光科技、閃迪、鎧俠。

設備及材料領域看好：瀾起科技、應用材料、泛林集團、TES、Eugene Technology、TechWing。

花旗判斷，本輪存儲周期已從傳統短周期轉向AI驅動的結構性需求周期。

簡單來說＝花旗把賭注押在了「AI存儲缺口會持續多年」上——這一判斷能否成立，2027至2028年的實際出貨數據就是最關鍵的驗證節點。

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