花旗上調美光目標價至1200美元，Q3每股收益同比增速預期達1092%
Miles Bennett
花旗將美光目標價從840美元上調43%至1200美元，核心邏輯是記憶體價格超預期走強推動盈利爆發。這意味著→ 花旗認為記憶體超級週期遠未結束，美光正處於利潤率急速擴張的窗口期。
目標價一口氣上調43%，花旗到底睇到咗乜？
花旗6月17日將美光（MU.US）目標價從840美元上調至1200美元，維持買入評級。
核心依據只有一個：DRAM與NAND價格漲幅遠超此前預期，記憶體超級週期仍在延續。
截至6月19日收市美光報1133美元，新目標價隱含約6%上行空間。這意味著→ 花旗認為現價仍未充分反映記憶體漲價對盈利的拉動。
盈利預測上調了幾多，1092%的增速點嚟？
花旗將美光2026財年和2027財年每股收益預測分別上調4%和10%，其中2027財年EPS預測114.73美元，較市場一致預期高約4%。
近期季度同步上調：2026財年Q3營收和EPS預測上調6%，Q4上調5%。
Q3每股收益同比增速預期從1025%進一步上調至1092%。簡單來說＝ 去年同期美光每股只賺幾美元，今年同期預計賺幾十美元，倍數先會咁誇張。
毛利率從40%飆到83%，靠乜？
花旗預計美光毛利率將從2025財年的39.8%擴張至2026財年76.9%，2027財年進一步升至82.9%。
這反映出記憶體行業的高度槓桿特徵：產品本身製造成本變化不大，價格一漲，多出來的部分幾乎全是利潤。
營收預測同樣大幅上修：2026財年1150億美元，2027財年增至1975億美元。
現貨價格已經漲咗52%，合約價仲可以繼續漲？
DRAM現貨價格自今年1月以來累計上漲52%，4月以來漲幅22%，現貨較合約價溢價21%。
這意味著→ 現貨市場已提前反映供需緊張，合約價格通常會跟隨補漲，溢價就是「仲未漲完」的信號。
花旗預計DRAM均價在2026年Q2至Q4將分別按季上漲37%、13%、11%；NAND同期漲幅預計45%、17%、6%。
全年計，花旗預計2026年DRAM均價漲200%，NAND漲186%，漲勢料延續至2027年。
供給缺口有幾大，HBM點解係下一個催化劑？
花旗預計2026年全球DRAM市場供給缺口約5%，而供需失衡將延續至2027年。
今年DRAM漲價主要集中喺普通商用DRAM，而非HBM（高頻寬記憶體，專為AI晶片設計的高速記憶體）。這意味著→ HBM漲價週期仲未真正啟動，下年提價將成為新的利潤驅動力。
TrendForce預測2026年DRAM行業整體產出增速約30%，美光自身增速預計42%。
花旗亦指出DRAM持續短缺正加速NAND替代方案的採用，例如KV緩存卸載（將部分數據從稀缺的DRAM轉存到NAND上），利好純NAND標的及半導體設備股。
目標價只畀咗10倍PE，點解咁「保守」？
花旗將目標價設定於修正後2027日曆年EPS的10倍，遠低於美光歷史三年峰值估值的17倍。
簡單來說＝ 花旗一邊大幅上調盈利預測，一邊刻意壓低估值倍數，留出了「利潤率從高位回落」的安全墊。
近期Vera Rubin平台（英偉達下一代AI平台）因DRAM供給不足出現降規格現象，增加了供給端不確定性。
投資者核心關注點：美光6月24日公佈Q3業績時，管理層對長期供貨協議（LTA）簽署進展及供需展望的最新表態——花旗認為戴爾已完成簽約。
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