長鑫存儲第五代DRAM平台量產，每片晶圓產出提升50%
nashnova research
長鑫存儲宣佈第五代DRAM平台進入量產，關鍵間距縮至約12納米，每片晶圓晶片產出較上代提升至少50%——這意味著中國存儲晶片正式向三星、SK海力士、美光把持的格局發起成本端衝擊。
第五代平台到底做到了甚麼？
存儲陣列關鍵特徵間距縮至11.95納米（約12納米），採用四重圖案化（同一位置重複四次光刻，把電路刻得更細）工藝。
以8吉比特晶片為基準，每片晶圓的晶片毛產出較第四代提升至少50%。
這意味著→ 同一片晶圓切出的晶片多了一半，單顆晶片的製造成本大幅下降。
同步發佈的兩款新品解決甚麼問題？
基於新平台推出兩款24吉比特LPDDR5X產品，LPDDR5X（一種專為手機等便攜設備設計的低功耗記憶體規格）容量較上代同類產品提升50%。
兩款產品提供不同封裝形式，分別適配不同手機及便攜設備方案，目前均已量產。
簡單來說＝ 手機廠商日後可以從長鑫拿到容量更大、功耗更低的記憶體顆粒，不再只能選三星或海力士。
長鑫怎樣在設備受限下做到的？
長鑫存儲表示，新平台開發借助了電腦仿真技術，並與中國國內晶片設備廠商在關鍵製造環節聯合攻關。
副總裁羅曉東稱：「我們的工藝能力現已與業內最先進的量產節點處於同等水平。」
這反映出 在美國自2022年起實施半導體設備出口管制的背景下，長鑫走出了一條國產設備＋仿真替代的路徑。
對全球存儲市場意味著甚麼？
全球DRAM市場長期由三星、SK海力士、美光三家壟斷；長鑫今年已在上海科創板完成上市，產能規模正在擴大。
若製程能力的對標聲明得到市場驗證，消費電子廠商將多出一個實質性供貨來源，三強格局面臨價格端壓力。
這意味著→ 後續關鍵看點不是技術本身，而是成本優勢能否轉化為市場份額——這才是格局真正改變的標誌。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。