長鑫存儲測試鍵合DRAM產線，中韓差距縮至約三年
Miles Bennett
長鑫存儲正在合肥秘密測試鍵合DRAM研發產線，目標是繞開EUV限制、用舊設備實現高性能存儲量產——中韓DRAM技術差距已從約五年壓縮至約三年，速度遠超行業預期。
鍵合DRAM到底是甚麼，點解可以繞開EUV？
鍵合DRAM（Bonded DRAM）將存儲單元和外圍電路分別製造在兩片晶圓上，再垂直鍵合到一起。簡單來說＝普通DRAM是在一張紙上又寫字又畫電路，鍵合DRAM是兩張紙各畫各的、最後貼埋一起。
這意味著→ 每一層只需精度較低的DUV光刻（深紫外光刻，現有舊設備即可完成）多重曝光，毋須被制裁封鎖的EUV設備。
三星以「B1b」項目、SK海力士亦在跟進同類方案，但韓國傳媒援引業界評估稱，長鑫存儲在技術本身和推進速度上可能已領先兩家韓企。
中韓差距點樣從五年壓縮到三年？
兩年前長鑫存儲（DRAM）和長江存儲（NAND）仍在虧損、只能做低端晶片；如今韓媒用「戲劇性轉變」來形容追趕速度。
這意味著→ 美國出口管制封住了EUV設備，反而逼出一條不依賴EUV的技術路徑，追趕速度「遠超預期」。
市場份額方面，長鑫存儲2026年第一季全球DRAM市佔率已升至8%，並據報正被蘋果列為潛在新供應商。
HBM和「後HBM」方向，長鑫走到邊？
長鑫已將約20%產線轉向HBM3/HBM3E（高帶寬存儲，AI晶片必需的高速「顯存」）研發，同樣用DUV多重圖案化工藝繞開EUV。
同時與瀾起科技合作，推進基於CXL協議（一種令CPU和存儲之間高速對話的新接口標準）的「後HBM」存儲方向。
這意味著→ 長鑫不只追當下的HBM，還在押注下一代互聯存儲，借DDR5研發經驗提前卡位。
長江存儲的專利優勢有幾大？
長江存儲的「Xtacking」晶圓鍵合架構是全球首個商業化的同類技術，已從160層擴展至最新270層量產。
核心專利對比（2023年數據）：長江存儲119項 / 三星83項 / SK海力士僅11項。
韓媒稱三星已就其下一代NAND路線圖向長江存儲授權相關專利。這反映出在這一細分領域，專利話語權已開始向中國傾斜。
韓國學界點睇呢件事？
首爾大學教授黃哲成稱中國半導體是「韓國最大的未來威脅」，警告一旦華為等中國AI晶片廠商大規模採用國產存儲，良率與可靠性的提升速度可能快過預期。
另有學者指出，韓國必須在美國制裁創造的「黃金窗口期」關閉前，在下一代存儲與封裝技術上建立不可逾越的領先。
說白了＝制裁替韓國爭取了時間，但這扇窗正在關上——若不抓緊拉開代際差距，追趕者會在窗口關閉前趕到。
上市和量產，跟住睇乜？
長鑫存儲與長江存儲均在推進上市計劃，長鑫最快本月在上海證券交易所掛牌，以拓寬政府補貼之外的資金來源。
鍵合DRAM產線測試能否如期推進至量產，是檢驗這輪技術追趕能否持續的關鍵節點。
這意味著→ 資本市場的錢能否跟上、實驗室成果能否上產線，將決定「三年差距」是繼續縮小還是停在原地。
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