預測：三星2027年HBM市佔率將超越SK海力士
nashnova research
韓國券商預測三星電子2027年HBM出貨份額將升至40%，以約一個百分點反超SK海力士——核心驅動力是HBM4定價談判中三星拿到了高於預期的價格。
三星憑甚麼能反超？
據Eugene Investment分析師孫仁俊在Korea Premium Week上援引Counterpoint Research數據：三星HBM份額預計從2026年的32%升至2027年的40%；SK海力士則從47%降至39%。
兩者僅差約一個百分點，幾乎並駕齊驅，並非決定性領先。
這意味著→ 這不是「碾壓式翻盤」，而是三星從落後十幾個點追到齊平線——真正的較量才剛開始。
HBM4的價格為甚麼是關鍵變量？
三星2027年HBM4價格正以每吉比特約4美元以上談判，高於此前券商預期的約3.50美元；SK海力士部分合同亦重新談至3美元出頭。
KB Securities重申，三星HBM均價2027年有望翻倍以上，因為HBM4預計佔三星當年HBM營收的80%。
簡單來說＝ HBM4單價貴了一大截，而三星產品結構裡HBM4佔比又最高——價格×佔比，營收自然被推上去。
美光的表態說明了甚麼？
美光在9月30日業績電話會上確認：2027年絕大部分HBM供應量已簽約，價格顯著高於2026年。
美光稱相關協議將收窄HBM與傳統DRAM之間的毛利率差距，但未披露具體漲幅。
這反映出 HBM4漲價不是三星一家的故事——整個行業都在把價格往上推，三星只是漲幅最大的那個。
傳統DRAM漲價怎麼幫了HBM的忙？
傳統DRAM合同價格預計2026年四季度環比再漲10%–15%，而HBM和傳統DRAM共用先進製造產能。
這意味著→ 把晶圓產能分給HBM的機會成本在漲，HBM價格就有了更硬的談判底線。
但HBM價格通常透過年度協議鎖定，尚未充分反映近期DRAM漲價——說白了＝ DRAM漲了，HBM的合同價還沒跟上，下一輪談判補漲的空間很大。
三星的製造結構有甚麼不同？
三星2026年2月啟動HBM4量產，採用第六代10納米級1c DRAM製程，搭配自有晶圓代工廠的4納米邏輯基底裸片（HBM底層用來連接DRAM堆疊的控制晶片）。
SK海力士則與台積電合作開發基底裸片，DRAM和邏輯部分分屬兩家工廠。
簡單來說＝ 三星自己既做存儲又做邏輯晶片，「一條龍」生產；SK海力士要找台積電幫忙——三星理論上更靈活，但能不能真省錢，還看良率。
這個預測最大的不確定性在哪？
三星能否兌現份額反超，最終取決於兩件事：HBM4量產良率和客戶認證進度。
兩家公司均未公開確認最終合同價格，當前數據來自券商預測和媒體報道，存在修正空間。
這反映出 市場對三星存儲業務的評估正從「能不能追上」轉向「追上之後能不能站穩」——良率就是那張入場券。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。