格爾辛格批HBM「糟糕」，SK海力士：非終極答案
Nashnova编辑部
前英特爾CEO格爾辛格在巴黎RAISE峰會上公開批評HBM是「糟糕的」存儲技術，SK海力士隨即回應——承認局限，但強調HBM仍是當下AI最優解，後HBM架構競賽已經啟動。
格爾辛格為何說HBM「糟糕」？
HBM（高帶寬內存，將多顆DRAM晶片像三明治般垂直堆疊的技術）核心問題在散熱：熱量在晶片層間積聚，形成「熱三明治」效應。
這意味著→ 疊得越高、層數越多，中間的晶片越難散熱，性能天花板被物理結構卡住。
格爾辛格還指出，生產1比特HBM內存，實際上要放棄4比特的現有內存容量——比特效率、功耗效率、帶寬效率均不足。
他的結論很直白：HBM不是好的存儲技術，只是當前滿足AI需求的最不壞的選項。
SK海力士認不認？
SK海力士副總裁金浩植在同一場討論中部分認同：HBM在散熱、輸入/輸出及成本方面確有局限，亦非存儲瓶頸的最終答案。
但他強調一個更根本的問題：AI晶片處理數據的速度遠超內存供給速度，這是AI推理系統的本質特性，不是換一種內存就能消除的。
簡單來說＝ 存儲瓶頸是AI的「體質問題」，HBM只是目前緩解症狀最有效的藥，但治不了根。
金浩植同時透露，SK海力士正在研究超越HBM的下一階段方案。
「後HBM」時代，誰在佈局甚麼？
英特爾在研究Z角內存（ZAM）和交叉批次內存（XBM）等新架構，試圖用不同的晶片佈局和互連方式突破HBM的結構限制。
英偉達走另一條路：擴大GPU內部超高速緩存SRAM的容量，減少對外部內存帶寬的依賴。
這反映出 兩家巨頭對「瓶頸在哪」的判斷不同——英特爾認為內存架構本身要換代，英偉達認為算力端可以自己消化一部分。
存儲行業的話語權正在轉移？
過去的邏輯：三星、SK海力士等存儲廠商先決定生產甚麼內存，再供應給客戶。
現在的趨勢：英偉達、AMD等AI晶片設計商先定義系統需求，存儲廠商再據此開發產品。
這意味著→ 存儲行業的話語權正在從「造內存的人」向「用內存的人」轉移——誰能定義系統瓶頸，誰就能定義下一代存儲長甚麼樣。
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