高盛：中國先進晶片缺口2035年將從92%降至34%
Nashnova编辑部
高盛預測中國先進晶片供需缺口將從2025年的92%收窄至2035年的34%，核心驅動力是中芯國際的擴產與良率提升，但光刻設備瓶頸意味著完全自主在這十年內仍無法實現。
缺口怎麼從92%縮到34%？
高盛測算，7納米及以下先進制程（能製造高端手機晶片和AI晶片的工藝）的中國本土供應量，2025至2035年間年複合增長率達46%，遠超同期需求增速17%。
到2035年，月供應量預計達41萬片晶圓，月需求約61.9萬片。供給追得快、需求漲得慢，缺口因此收窄。
這意味著→ 中國並非在「填滿」需求，而是在縮小追不上的距離——十年後仍有近三分之一的先進晶片要靠外部供應。
中芯國際要怎麼擴這麼快？
高盛的關鍵假設：中芯國際在2026至2031年每年新增先進制程月產能3萬至5萬片，2031至2035年每年再增2萬片。
良率（每批晶圓中合格晶片的比例）假設同樣進取：從2026年的23%升到2030年的50%，2035年達到75%。
簡單來說＝ 現在每造100顆晶片只有23顆能用，高盛押注的是十年後能提高到75顆——這是整個預測能否兌現的核心變量。
跟台積電比，差距有多大？
台積電7納米晶片2018年開始量產，目前良率普遍超過90%。
即便中芯國際2035年達到75%的良率目標，仍比台積電今日的水平低15個百分點以上。
這意味著→ 產能數字在追趕，但每一片晶圓能產出的合格晶片數差距依然顯著——量上來了，質還差一截。
為什麼缺口不能歸零？
高盛明確指出，光刻設備（在晶圓上「印」電路圖案的核心機器）是制約中國半導體完全獨立的結構性瓶頸。
無論產能擴張多快，沒有頂級光刻機，制程天花板就在那裡——這是2035年缺口仍維持34%而非歸零的根本原因。
這反映出一個更深層的現實：中國半導體的追趕是「有天花板的追趕」，設備自主的突破節奏決定了天花板能抬多高。
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