高盛重申三星、SK海力士買入評級,Q4存儲ASP預測全面上調
nashnova research
高盛9月30日重申三星電子(確信買入)與SK海力士買入評級,TrendForce對四季度存儲合約價預測全面高於高盛自身估算,企業級SSD漲幅達23%–28%,但外資近期集中拋售兩隻股票,AI資本開支能否延續仍是核心變量。
四季度存儲價格,邊個品類升得最勁?
TrendForce預測四季度PC DRAM環比升13%–18%、伺服器DRAM升10%–15%、流動DRAM僅升0%–5%;NAND整體升15%–20%,其中企業級SSD單項漲幅達23%–28%。
高盛自身模型更保守:PC DRAM環比升9%、伺服器DRAM升10%、NAND升9%–11%。這意味著→ 除流動端基本吻合外,TrendForce在其餘三個品類上都比高盛更樂觀,市場可能低估了加價幅度。
需注意口徑差異:TrendForce官方新聞稿中「一般型DRAM升10%–15%」與高盛報告中「PC DRAM升13%–18%」指向不同細分項,兩組數字不可互換。
企業級SSD點解能夠一枝獨秀?
雲服務商持續加碼AI推理基礎設施,2026年企業級SSD位元需求預計同比增長逾80%,採購驅動力已從大模型訓練轉向實際AI部署。
原廠雖擴增QLC(一種在同一存儲單元裡塞更多數據的快閃記憶體技術)與高容量機型供應,但新增產能多已被客戶提前鎖定,流入公開市場的量有限。簡單來說= 蛋糕未出爐已經被訂晒,剩餘買家只能加價搶。
客戶端SSD則相反:PC品牌廠手握上半年庫存、主動下調主流機型SSD容量以壓成本,買方唔急、原廠報價趨於彈性,升幅受到抑制。
流動DRAM點解最弱,幾時反彈?
流動DRAM四季度僅升0%–5%,係全表最弱品類。這意味著→ 手機端在整個存儲加價周期中幾乎掉隊。
原因有二:LPDDR(手機用的低功耗記憶體)成本高企壓制智能手機產量;同時原廠將產能優先轉給利潤更高的伺服器產品,手機端配額被擠壓。
但TrendForce預計2027年一季度反彈:LPDDR5X環比升13%–18%、LPDDR4X升5%–10%。簡單來說= 手機記憶體目前被冷落,但加價只係遲到、唔會缺席。
現貨溢價透露了甚麼信號?
9月合約價方面,DDR4 8GB環比升4%至148美元,DDR5 8GB持平於133美元;DDR5相對DDR4的折價由8月的6%擴大至10%。
現貨端信號更強烈:DDR5 16Gb現貨較最新合約價溢價20%,DDR4 8Gb現貨溢價更高達44%。這反映出舊一代產品因原廠逐步退出產線而尤為緊俏。
PC OEM為應對2027年可能的供給收縮,整個四季度仍將維持激進採購。伺服器端雖然CPU供給改善,雲廠商追加採購以滿足代理式AI(Agentic AI)場景下通用伺服器對RDIMM的需求,但封測產能與前段製程調度彈性不足,供給仍跟不上需求。
2027年HBM會點樣擠壓傳統DRAM?
三星執行副總裁金泰宇披露,HBM(高頻寬記憶體,專供AI晶片的高速堆疊記憶體)佔全球DRAM廠晶圓總產能的比重預計從目前約20%升至2027年近30%。
由於HBM單片所佔晶圓面積約為傳統DRAM的三倍,傳統DRAM供給被擠出的速度可能是HBM佔比提升速度的兩到三倍。這意味著→ HBM每多食一口產能,傳統DRAM被擠走的量係加倍的。
GPU廠商想將HBM從12層降至8層來省錢,但TrendForce指出每顆HBM都需搭載一顆基礎晶片(Base Die),該成本不隨層數減少而成比例下降。換算後8層HBM每Gb成本反而比12層溢價10%–20%。說白了= 少疊幾層睇落慳料,但固定成本攤唔薄,單價反而更貴——降規格救唔到成本。
估值點睇,風險喺邊?
高盛對三星電子普通股12個月目標價49萬韓圜(EV/EBITDA分部估值),優先股36萬韓圜,均為買入;對SK海力士目標價350萬韓圜(目標市盈率9.0倍)。
但基本面向好與股價承壓並存:外資近期集中拋售新興市場大盤晶片股,6個交易日內淨賣出三星與SK海力士合計約496億元人民幣;韓圜短期走強亦引發對三季度業績換算縮水的擔憂。
這反映出這輪存儲行情的核心變量始終是同一個:AI資本開支能否延續。一旦超大規模雲廠商建設節奏放緩,鎖在長期協議裡的高價位庫存反噬也會來得好快。
市场有风险,内容仅供研究参考,不构成投资建议。
