HBM產能轉移致DDR4合約價漲幅超DDR5

nashnova research

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三大存儲廠將晶圓產能向HBM和DDR5集中，DDR4供給收縮，過去三個月合約價格累計上漲24%，反超DDR5的20%——舊制式記憶體漲得比新一代還快，這在技術迭代周期中極為罕見。

舊記憶體為甚麼反而漲得更兇？

三星、SK海力士、美光三大存儲廠把晶圓產能向HBM和DDR5傾斜，DDR4產線被大幅壓縮。

據巴克萊報告，過去三個月DDR4合約價累計漲24%，DDR5漲20%；僅10月單月，DDR4環比漲4%，DDR5漲3%。

這意味著→ DDR4漲價不是因為需求爆發，而是因為無人願意再為它分配產能——供給側主動收縮推高了價格。

傳統長期採購協議（LTA，買賣雙方提前鎖定價格和數量的合同）設有價格上下限，用來平抑波動，但供需失衡下這一機制正在失效。

瑞銀指出，三星和SK海力士通常在五年協議中對約60%至70%的合約量鎖定價格，其餘隨市場浮動。

這意味著→ 協議定價正從「鎖價保護」轉向「跟着現貨走」，買方原本用來對沖風險的工具反而放大了價格波動的敞口。

據報道，Tesla CEO馬斯克曾考慮降低下一代AI5晶片的記憶體容量，以應對記憶體採購困難和價格上漲。

巴克萊將此類調整定性為應對供應短缺的臨時措施，並警告中長期風險仍然存在。

簡單來說＝不是不想用更多記憶體，而是買不到、買不起，只好先把配置往下調——但這只是權宜之計。

花旗預計DRAM供需缺口將於2027年Q4達到峰值13.9%，NAND Flash缺口於2028年Q1達到8.3%，短缺至少持續至2028年。

Sigmaintell（市場研究機構）判斷截然不同：DRAM缺口將從2026年的5.7%收窄至2027年的0.7%，NAND Flash從4.5%降至1%，整體短缺2026年即觸頂。

這意味著→ 兩家機構對短缺峰值的判斷相差近兩年——存儲股的估值修復節點存在很大不確定性，這一分歧本身就是市場持續關注的核心變量。

記憶體短缺2026年見頂，還是持續到2028年？

BULL

缺口快速收窄

Sigmaintell預計DRAM缺口2027年僅0.7%，短缺明年見頂。

產能擴張已在路上

HBM晶圓產能2026年增逾70%，2027年再擴50%-55%。

BEAR

需求遠超產能釋放

花旗預計DRAM缺口2027年Q4達13.9%，短缺持續至2028年。

GPU需求倍增疊加

若2027年全球GPU+ASIC需求近2億顆且全用12層HBM，缺口近30%。

簡單來說＝兩邊用的數據來源和需求假設不同，花旗押注AI需求持續爆發、產能跟不上，Sigmaintell認為擴產足以追平——投資者需要判斷的不是誰對，而是自己押注哪個需求情景。

主要GPU和定制ASIC廠商正考慮在下一代架構中採用8層HBM，而非更高規格的12層，預計2027年HBM出貨量中約40%將採用8層規格。

8層方案良率更高、交貨周期更短——這反映出廠商優先解決的是「能不能拿到貨」，而不是「能不能用最高規格」。

HBM4價格2027年可能升至每單位1,400至1,600美元，約為2026年水平的1.8倍；轉向8層規格後單價會下調，但每比特成本反而上升。

HBM4和HBM4E設計均依賴底部定制邏輯基底晶片（base die，整顆HBM最底層的控制晶片），該部分成本不隨堆疊層數減少而降低。

簡單來說＝減少層數省掉的是上面的存儲層，但底座成本不變——總成本沒降多少，分攤到每比特反而更貴。

這意味著→ 向低規格HBM轉移的根本驅動力是產能瓶頸，不是降本——一旦供應鏈瓶頸緩解，堆疊層數預計將重新向上攀升。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。