HBM4爭奪戰抽空韓國晶片設計人才

Nashnova编辑部
Published 2026-08-15About 3 min read

三星與SK海力士為HBM4大規模挖角邏輯晶片設計工程師,韓國中小設計公司骨幹集中流失、核心項目停滯。這意味著→ HBM4正在重劃記憶體與系統晶片的人才邊界,整條設計服務鏈的產能面臨結構性收縮。

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HBM4為甚麼需要邏輯晶片的人?

HBM4在基礎晶片(base die,整顆晶片堆疊的「底座」)中引入先進邏輯製程,支持圍繞客戶性能與功耗需求做深度定制
這意味著→ 記憶體公司過去只需要「存儲工藝人才」,現在還需要RTL設計(寄存器傳輸級設計,用代碼描述晶片邏輯的環節)、SoC架構、ASIC驗證等系統晶片全鏈條能力
簡單來說= HBM4把記憶體晶片做成了「半個系統晶片」,三星和SK海力士不得不去搶原本屬於設計公司的工程師。
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中小設計公司到底被抽走了多少人?

據《朝鮮Biz》報道,多家頭部設計服務商近期出現集中離職潮,離職者多為7至12年經驗的資深工程師。
其中一家頭部設計服務商已有逾十名資深設計師相繼加入三星或SK海力士,核心項目進度直接受阻。
這意味著→ 流失的不是初級人力,而是能獨立主導流片的中層骨幹——這類工程師通常需要數年項目積累,短期內無法替補
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SK海力士「只進不出」的格局有多誇張?

SK海力士2025年在韓國新招3,201人,是上年942人的3.4倍
同期自願離職率僅0.5%,形成極端的「只進不出」格局。
這反映出大廠的薪資與平台優勢已形成單向虹吸:中小公司即便匹配薪酬,也很難在項目規模和職業前景上競爭。
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法院裁決又堵住了哪條路?

水原地方法院近期部分支持三星申請的禁令:數名曾從事核心NAND快閃記憶體設計逾十年的工程師,被禁止在SK海力士任職,期限至2027年4月30日(離職後十八個月)。
法院認定NAND快閃記憶體設計屬於國家核心技術,且三星曾對上述工程師實施專項管理。
這意味著→ 兩大巨頭之間的高端人才流動被司法層面收緊,設計崗跳槽的法律成本顯著上升——外部中小公司的人才反而成了阻力更小的挖角對象。
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缺口到底有多大、補得上嗎?

韓國半導體產業協會預測,至2031年行業需30.4萬名從業人員,潛在缺口最多達8.1萬人,其中設計工程師等專業人才缺口約5.4萬人
目前供給端最主要的管道——三星與SK海力士聯合參與的大學半導體專項項目——預計2027學年招生僅約460人
簡單來說= 缺口以萬計,補給以百計;培養週期以年計,HBM4的迭代以季度計。供需錯配是結構性的,不是花錢就能解決的。

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