華為哈勃佈局InP光晶片全鏈條，押注AI互聯基礎設施
Nashnova编辑部
華為旗下哈勃科技自2019年起系統投資中國光晶片產業鏈，從激光器、探測器到InP襯底全線落子，押注AI數據中心對800G至3.2T光互聯的爆發式需求。
哈勃投了哪些公司，拼出了甚麼圖？
哈勃已投資至少四家光晶片公司：垂耀科技做VCSEL激光晶片（一種用於短距高速光通信的垂直腔面發射激光器），源杰半導體做DFB激光晶片（數據中心光模組裡最常見的發射光源），北方光子做微納光學和光學集成，邁爾光電做InP光電探測器。
這意味著→ 哈勃不是零散押注單一環節，而是沿「發光→收光→光路整合→底層材料」這條鏈一路往上鋪。
簡單來說＝ 一條光信號從發出到接收，中間每個關鍵零件，哈勃都安排了一家自己投資的公司。
邁爾光電補上了甚麼缺口？
2026年5月，邁爾光電完成天使輪融資，哈勃參投；資金用於產品研發和小批量產線建設。
邁爾光電專攻InP（磷化銦，一種做高速激光器和探測器的核心半導體材料）光電探測器，目標場景覆蓋800G、1.6T、3.2T光模組及AI數據中心互聯。
這意味著→ 哈勃此前已有發射端（激光器）和光路整合的布局，但接收端（探測器）一直缺位，邁爾光電這一筆補上了拼圖裡的關鍵一塊。
InP襯底為甚麼突然成了瓶頸？
InP是製造1310nm和1550nm波長高性能激光器與探測器的核心材料，低損耗長距傳輸離不開它。
Lumentum CEO邁克爾·赫爾斯頓表示，InP襯底短缺程度已超過DRAM和NAND，部分客戶需求已排至2028年。
Yole估計2026年全球InP需求相當於260萬至300萬片2英寸晶圓，有效產能僅約75萬片——供給缺口超過七成。
說白了＝ 全球AI數據中心都在搶光模組，光模組的核心原料卻只夠滿足不到三成的需求，邊個手裡有料邊個就有話語權。
全球大廠怎樣應對這個缺口？
JX先進金屬計劃投入1200億日圓，到2030財年將InP產能提升七至十倍；AXT已募資約6.325億美元用於擴產；住友電工計劃到2028財年將產能提升至2024財年的3.1倍。
英偉達直接落場鎖貨：2026年3月分別向Coherent和Lumentum各承諾20億美元並簽長期供貨協議；Coherent隨後在美國得克薩斯州動工興建新InP晶圓廠。
這反映出InP已不只是材料問題，而是AI算力軍備競賽的基礎設施級瓶頸——行業估計當前InP需求中逾80%與AI數據中心相關。
哈勃怎樣解決「有設計冇材料」的問題？
2020年12月，華為投資以23.91%持股比例入股雲南鑫耀半導體材料，後者現為中國最大的InP晶圓生產商之一。
據報道，華為海思已於2025年成為鑫耀的最大客戶，佔其出貨量約40%。
這意味著→ 從晶片設計到襯底原料，哈勃的垂直整合已經打通：鑫耀供料→邁爾光電做探測器→垂耀/源杰做激光器→北方光子做光學集成，形成一條閉環。
這條鏈能兌現嗎？
哈勃的布局邏輯清晰：在全球InP產能嚴重不足、擴產周期長達數年的窗口期，提前鎖定上游供應，為華為自身的光傳輸、光接入及800G數據中心互聯產品提供保障。
但風險同樣明確：鑫耀的產能規模相比全球巨頭仍有差距，邁爾光電尚處天使輪階段，從小批量到規模量產的跨越需要時間和良率驗證。
簡單來說＝ 棋局已經擺好，但棋子還未全部落地——能否在供給最緊張的這幾年真正產出穩定的國產替代，是這套戰略能否兌現的核心考驗。
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