美光聯合台積電推進定製HBM，NVHBM頻寬提升30%

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美光與英偉達聯合開發定制記憶體NVHBM，將記憶體控制器搬入HBM基礎晶片，帶寬最高提升30%、功耗最高降低15%；基礎晶片交由台積電代工，標誌美光從自製轉向外包邏輯製程，以製程能力換取定制化空間。

NVHBM到底改了甚麼？

核心變化：將原本放在運算晶片上的記憶體控制器搬進HBM的基礎晶片（base die，整個記憶體堆疊最底層的邏輯晶片，負責指揮上方的儲存層）。

這意味著→ 記憶體自己管理數據搬運，不再佔用運算晶片的面積和功耗預算，運算晶片可以騰出更多空間做運算。

美光給出的潛在收益上限：每個堆疊帶寬最高提升30%，功耗最高降低15%，相關支撐電路面積最高縮減67%。美光強調這是技術層面的潛在數字，實際表現取決於具體產品與系統設計。

美光在HBM4時代自己做基礎晶片，但NVHBM和HBM4E標準系列都改由台積電代工。市場估計製程可能達到3納米級別，但官方未確認具體節點。

簡單來說＝記憶體控制器搬入基礎晶片後，這顆晶片的邏輯複雜度大幅提高，需要更先進的製程才撐得住——這恰好是台積電的強項，而非記憶體廠的強項。

這反映出 HBM正從「標準儲存產品」變成「半定制邏輯＋儲存混合體」，記憶體公司與晶圓代工的邊界正在模糊。

美光總裁巴蒂亞（Manish Bhatia）表示，HBM本身已是溢價產品，疊加定制化應能創造更高價值。

NVHBM還將開放給NVLink Fusion合作夥伴生態（英偉達與第三方晶片廠商協作定制AI加速器的框架），拓寬應用範圍。

但美光未披露NVHBM的具體售價預期或毛利率提升幅度——定制HBM能否真正兌現溢價毛利率，是這輪策略轉型最關鍵的驗證點。

美國：愛達荷州博伊西推進兩座先進DRAM晶圓廠，紐約州規劃最多四座大型晶圓廠。

亞洲：廣島新廠2026年7月破土動工；新加坡建設下一代HBM先進封裝廠並擴充NAND產能；印度古吉拉特邦籌建該國首座半導體封測設施。

台灣：美光台灣區負責人盧東輝表示，未來數年建設資本支出規模龐大，將躋身全球最大建設投資方之列，並呼籲台灣供應商隨美光一同出海。

美光已與多家主要雲端及AI晶片客戶簽訂三至五年戰略協議，部分合約能見度延伸至2031年。2027年HBM位元供應已基本鎖定。

這意味著→ 客戶願意用長約鎖定產能，說明他們判斷AI對高帶寬記憶體的需求是長期結構性的，並非一輪短期熱潮。

對美光而言，長約提供了收入確定性，亦為全球多地同步擴產提供了資本支出的底氣。

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