美光2035年美國投資額升至2500億美元
Miles Bennett
美光將2035年前美國投資總額上調至逾2500億美元，紐約新廠同日澆築首批混凝土；存儲晶片價格暴漲疊加《晶片法案》補貼，正把這筆投資從政治表態變成有利可圖的產能競賽。
2500億美元到底要建甚麼？
紐約州克萊市規劃最多四座晶圓廠，被稱為該州史上最大私人投資，預計創造5萬個就業崗位，美光直接僱用9000人。
首批混凝土澆築較原計劃提前逾四分之一完成，美光已向紐約當地承包商和供應商累計支付約6.75億美元。
除紐約外，愛達荷州項目預計2027年中期產出首批晶圓，弗吉尼亞州工廠已開始為汽車、工業及國防客戶小批量生產。
錢從哪來——點解而家敢加碼？
存儲晶片價格大幅上漲：過去一年韓國DRAM出口價格暴漲497%，閃存及HBM（高帶寬記憶體，專為AI晶片配套的高速存儲）價格翻倍甚至三倍。
美光季度營收同比增至239億美元，HBM需求是主要驅動力；管理層已將2026財年資本開支上調50億美元至逾250億美元。
這意味著→ 美光把周期紅利、61億美元《晶片法案》補貼和關稅保護三層疊在一起，形成韓國對手難以完全複製的成本結構。
韓國對手仲領先幾多？
在最高價值的HBM細分市場，SK海力士憑藉對輝達AI加速器的供應，2025年首次在年度營業利潤上超越三星電子。
三星和SK海力士合計控制全球DRAM市場約三分之二份額，與美光是全球僅有的三家HBM製造商。
簡單來說＝ 美光在通用存儲晶片上體量夠大，但在利潤最豐厚的HBM賽道，仍是三家裡的追趕者。
中國變量會點樣改變格局？
蘋果已開始測試中國國家支持的長鑫存儲（CXMT）DRAM，用於在中國銷售的設備；分析機構SemiAnalysis預計長鑫存儲全球DRAM份額將從2024年的約11%升至2028年的15%。
長鑫存儲還計劃在上海上市，擬募資不低於295億元人民幣，為產能擴張提供彈藥。
這反映出一個更深層的風險：分析人士警告，長鑫存儲的擴張路徑可能重演光伏和電動車行業的劇本——先衝產能、再壓全球價格。
這場三方競爭有邊兩個關鍵看點？
美光能否憑藉本土化佈局，在HBM競爭中縮小與韓國對手的差距——目前SK海力士和三星仍佔主導。
華盛頓對長鑫存儲的政策走向：美國商務部長盧特尼克在奠基儀式上公開喊話，希望三星和SK海力士進一步擴大在美產能。
簡單來說＝ 美光砸重金建廠是第一步，但真正決定勝負的是：HBM技術能不能追上，以及華盛頓會不會對中國產能踩剎車。
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