美光HBM4产能爬坡提速两倍，2027年量产HBM4E

韩媒THE ELEC周一报道，美光科技第六代高带宽内存HBM4的产能爬坡进展顺利，速度较去年HBM3 12层产品提升两倍，良率同步改善。

美光全球运营副总裁Manish Bhatia在摩根大通投资者会议上披露，HBM4将搭载于英伟达下一代AI计算平台"Vera Rubin"，美光由此确立关键供应商地位。

此次爬坡提速背后有三重支撑：其一，HBM3及HBM3E量产积累的丰富经验与学习效应；其二，核心技术采用成熟的1β（10纳米5代）制程，性能与良率均已充分验证；其三，搭配自主研发的基础技术，实现产品完成度与性能的最大化。

在更先进的HBM4E世代，美光将启动一次重要战略转向。核心技术升级至首次引入EUV光刻的1γ（10纳米6代）制程，与三星、SK海力士的第六代1c工艺属同代技术；基础技术则不再自制，转由台积电代工。美光计划2027年量产，首批推出JEDEC标准品，同步开发客制化版本。

三星与SK海力士也在紧锣密鼓推进HBM4E布局。三星预计今年第二季度送出首批样品，基础技术仍维持自制；SK海力士则计划下半年送样、2027年量产，基础技术同样交由台积电生产，据悉将采用3纳米制程。

在制程迭代节奏上，美光同步设定目标：2026年年中，1γ DRAM与第九代NAND的出货量将占总容量逾半，届时1γ将成为该公司规模最大的单一DRAM制程节点。

业界人士指出，随着AI算力需求激增，HBM技术竞赛已进入白热化阶段。美光借助与台积电的深度合作，有望在高性能与良率控制上进一步缩小与韩系大厂的差距，加速争夺AI服务器内存市场的主导权。