三菱電機第五代SiC-MOSFET樣品6月下旬開始出貨
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三菱電機將於6月下旬開始出貨第五代碳化硅MOSFET裸片樣品，導通電阻降低約25%，主攻電動車驅動逆變器——這是車用碳化硅晶片性能競賽的最新一步。
這次出貨的到底是甚麼？
產品是兩款第五代SiC-MOSFET裸片，6月下旬分批向模組封裝客戶供樣。
SiC-MOSFET（碳化硅場效應晶體管，一種用碳化硅材料製造的功率開關晶片）是電動車電驅系統的核心器件。
出貨形式是裸片而非封裝成品——這意味著→ 三菱電機瞄準的客戶是下游的模組廠，由它們完成最終封裝後再供應車企。
導通電阻降25%，對車有甚麼用？
新一代採用三菱電機專有溝槽結構，導通電阻較現有產品降低約25%，三菱電機稱達到行業領先水平。
簡單來說＝ 導通電阻就是電流通過晶片時「被浪費掉的阻力」；降低它，電能轉化為動力的效率就更高。
直接效果：逆變器與電驅橋（eAxle，將電機、減速器和逆變器集成在一起的驅動單元）的功率損耗更小，也為系統小型化創造條件——最終體現為續航里程延長。
可靠性方面有甚麼說法？
三菱電機稱其專有工藝可抑制性能退化，控制導通電阻和功率損耗在長期使用後的波動。
這意味著→ 晶片在車上運行數年後，性能不會明顯衰減，逆變器和電驅橋的耐久性有保障。
但需留意：當前出貨的仍是樣品階段，量產時能否維持同樣的性能一致性，是三菱電機自己也承認的下一階段關鍵驗證節點。
樣品到量產，還差甚麼？
從裸片樣品到車規量產，中間還有模組封裝→車規認證→批量交付三道關。
這反映出 碳化硅功率晶片的競爭已從「誰先做出來」進入「誰先大規模穩定出貨」的階段。
簡單來說＝ 樣品性能領先是第一步；能否把25%的電阻優勢在工廠裡批量複製出來，才是真正決定市場份額的事。
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