大摩：長鑫存儲2028年或超越美光，中國存儲重塑全球競爭格局

Nashnova编辑部

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摩根士丹利最新研報預計長鑫存儲（CXMT）2028年前後產能或超越美光，長江存儲同期可能升至全球第二大NAND廠商——中國存儲正從技術追趕轉向規模重塑，全球存儲行業的定價權與利潤格局面臨結構性改寫。

長鑫存儲憑甚麼可能超越美光？

大摩預計長鑫存儲產能路徑：2026年30萬片/月 → 2028年50萬片/月 → 2031年80萬片/月。到2030年前後，其全球DRAM bit出貨份額可能達到約15%。

技術上，長鑫已全面轉向Gen 4B（約16納米級製程），良率超過90%。但由於無法使用EUV光刻（用極紫外光刻電路的技術），仍依賴DUV加多重圖形化，掩膜版更多、工序更長，單位bit成本存在結構性劣勢。

這意味著→ 長鑫走的是「先把量做到夠大，再追技術代差」的路徑——不需要技術完全對等，只要增量產出夠大，就能影響全球邊際定價。

HBM（高頻寬存儲，AI晶片專用的高速記憶體）相對普通DRAM的bit產出懲罰，預計從2021—2023年的約2.5倍升至2028年的約3倍；HBM佔領先製程晶圓消耗的比例，預計從2023年的約6%升至2028年的34%。

簡單來說＝三星、SK海力士、美光的最好產線都被HBM「吸走」了，留給普通DDR5和LPDDR5X的產能反而收縮——這恰好給長鑫騰出了主流市場的空間。

大摩調研認為，即便良率仍偏低，長鑫存儲2027年仍可能生產約300萬—400萬顆HBM3E堆疊，足以支持約80萬—100萬顆中國本土AI GPU。即便納入這一增量，大摩模型仍顯示2026—2027年全球DRAM供給缺口達15%—17%。

長江存儲（YMTC）每年新增約10萬片/月產能，大摩預計其2028年前後可能成為全球第二大NAND廠商。

新建晶圓廠的設備及供應鏈國產化滲透率已接近60%，這反映出長江存儲在主動降低對進口設備的依賴，以應對出口限制。

大摩判斷：2028年之前，AI需求旺盛、HBM擠佔產能、國產替代週期、產品認證流程，能夠吸收相當一部分中國新增供給。

2028年起情況可能逆轉：長鑫和長江存儲規模足夠大，疊加三大廠商自身史無前例的擴產，中國廠商或能直接影響全球定價，以及行業在下行週期中的供給響應。

這意味著→ 真正的風險不是「廉價中國DRAM」本身，而是行業從三個目標一致的玩家，變成四個戰略目標不對稱的玩家——長鑫的目標還包括國產替代、供應鏈韌性和半導體主權，下行週期中它的行為模式可能與三大廠商截然不同。

大摩總結三個關鍵影響：絕對資本開支需求更高、長期正常化回報更低、估值分化更大。

HBM和先進伺服器DRAM仍集中於三星、SK海力士、美光；但中國在傳統DRAM和NAND中的份額持續上升，高成本、低規模的廠商將最先承壓。

簡單來說＝存儲行業領導權曾從美國轉向日本、再轉向韓國，每一次都是「規模+競爭基礎變化」的組合。大摩認為終極驗證節點在於：長鑫若在先進伺服器DRAM和HBM上具備可信競爭力，或長江存儲獲得廣泛企業級SSD認證，中國就從爭奪出貨量池轉向挑戰利潤池。

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