三星華城NAND產線轉DRAM，通用DRAM產能年底增約15%
Alina Collins
三星電子將韓國華城園區一條舊NAND產線改造為DRAM後段工序線，預計到2026年底通用DRAM產能提升約15%——這是一次用存量設施換增量產能的效率重組。
哪條產線被改造了？
華城園區一期12號產線，此前量產2D NAND閃存。三星於2025年下半年啟動轉換，2026年7月完工。
改造後，12號產線將承接15號產線的後段金屬布線工序。15號產線目前以1b及1c製程量產先進DRAM。
這意味著→ 三星並非新建廠房，而是把一條「過時」的NAND線重新定位，嫁接到最先進的DRAM生產鏈上。
為甚麼要把前段和後段搬到一起？
此前流程是：華城主廠完成晶片前段製造，再跨城轉運至天安工廠做後段加工——物流環節多、週期長。
整合後，DRAM前段與後段工序集中在同一個華城園區，減少搬運，縮短生產週期。
簡單來說＝ 原來「做一半、打包、運到另一個城市再做另一半」，現在改成「在同一棟樓裡一次做完」。
騰出來的空間怎麼用？
12號產線轉型前月產能約10萬片2D NAND晶圓，這些產能退出後釋放了物理空間。
三星還計劃將分散在華城二期及天安園區的後段設備集中遷入華城一期，利用騰出的空間增設更多產線。
這反映出三星正在做一輪「產線地理整合」：不是簡單擴產，而是把分散資源收攏到核心園區，提高單一廠區的產出密度。
15%的產能增幅意味著甚麼？
據業內消息人士預計，到2026年底三星通用DRAM產能將提升約15%。
這意味著→ 增量並非來自全新晶圓廠投產，而是來自存量設施的重新分配——資本開支壓力遠小於新建。
年底產能目標能否如期兌現，將是驗證本輪產線整合實際效果的關鍵節點。
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