輝達CMX明年NAND需求超1億TB，三星鎖定供貨
Claire Weston
英偉達外置存儲設備CMX預計明年NAND需求將從3500萬TB激增至逾1億TB，三星已率先供貨並將六成V-NAND產能壓向第九代產品線，NAND市場面臨AI驅動的結構性供給收緊。
CMX是甚麼，點解突然要咁多快閃記憶體？
CMX全稱「上下文記憶體存儲」（Context Memory Storage，一種專為AI推理設計的外置存儲設備），單台搭載576塊固態硬盤，總容量達9600TB。
它的誕生源於AI推理中「鍵值緩存」（KV Cache，模型推理時產生的中間數據）急劇膨脹——模型越大、對話越長，需要暫存的數據量就越大。
這意味著→ CMX本質上是給AI大模型配的「外掛記憶倉庫」，需求規模直接跟著AI部署量走。
1億TB是甚麼概念？
業界預計CMX所需NAND容量將從今年約3500萬TB激增至明年逾1億TB，增幅近兩倍。
獨立分析師@jukan05指出，1億TB大致相當於在NAND市場中新增一個蘋果公司體量的需求來源。
簡單來說＝ NAND市場憑空多出一個「蘋果級」買家，供給端壓力可想而知。
三星點樣接住呢張訂單？
三星月產V-NAND晶圓能力已超10萬張，今年NAND總產量預計約2.5億TB。
三星已將V-NAND總產能的約60%配置於第九代產品（V9）生產線，V8佔比降至40%以下。
英偉達在CMX出貨前夕已向三星提出擴產要求，三星正積極響應，目標是鎖定CMX核心供應商地位。
V9、V10、V11——三代產品同步推進意味著甚麼？
V9：產能佔比已達60%，良率穩定在80%以上，是當前出貨主力。
V10：今年上半年啟動量產，目前佔比不足5%，處於爬坡期；採用約400層堆疊，密度較V9的286層提升逾50%；首次大規模商用鉬材料（一種金屬，用來替代傳統鎢做晶片內部連線）替代鎢配線，配線厚度可縮減30%至40%。
V11：今年初啟動試產，目標400至500層堆疊，下半年試產規模將擴大一倍。
這意味著→ 三星用「量產一代、爬坡一代、試產一代」的節奏在趕工，但V10和V11短期內無法大規模放量。
普通消費者會受甚麼影響？
三星將大比例產能鎖定英偉達等大客戶，面向消費者的NAND供給將被明顯擠壓，存儲價格面臨上行壓力。
此前AI熱潮已率先引發DRAM短缺並推高價格，NAND市場正重複同樣的供給收緊邏輯。
V11加速研發理論上可為消費級市場提供緩解空間，但就目前產能配置方向，這一前景尚難樂觀。
接下來睇甚麼？
三星董事長李在鎔預計近期將在舊金山與英偉達CEO黃仁勳會面，議題涵蓋HBM（高帶寬記憶體）及下一代NAND供應安排，以及在韓國全南光州等地建設數據中心的合作方案。
三星2026年利潤預計將超過過去40年累計盈利總和，主要得益於AI伺服器存儲需求的結構性擴張。
這反映出 NAND供給向AI伺服器端集中已成趨勢，V11量產前能否緩解，是判斷存儲市場價格走勢的關鍵驗證節點。
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