輝達已認證SK海力士、三星和美光為HBM4供應商
Claire Weston
英偉達CEO黃仁勳確認SK海力士、三星、美光三家均已通過HBM4認證並進入量產，三大廠商的競爭焦點正從「拿到資格」轉向封裝散熱與低功耗設計。
三家全過認證，意味著甚麼？
黃仁勳在首爾對記者表示，三家供應商均已通過認證、進入生產，並在競速支持Vera Rubin（英偉達下一代AI晶片平台）。
這意味著→ HBM4不再是「誰能拿到資格」的淘汰賽，而是三家同時起跑的量產效率賽。
SK海力士、三星、美光合計主導全球計算用存儲晶片市場，三方同時獲批在英偉達供應鏈中極為少見。
下一輪比甚麼——點解散熱突然變成核心問題？
新一代AI晶片單顆功耗逼近1000瓦，HBM堆疊層數向約20層演進，熱管理已從系統級問題變成封裝設計的核心瓶頸。
簡單來說＝ 晶片越疊越高、越來越熱，如果封裝裡散不了熱，性能和可靠性都會打折扣。
英偉達、AMD等廠商正要求HBM供應商強化熱控與低功耗設計能力，這直接推動了三家各自的技術路線分化。
三星的方案——在晶片內部開闢專用「散熱通道」？
三星在COMPUTEX上展示了HPB（Heat Path Block）技術，核心思路是在HBM結構內部構建額外的熱傳導通道。
重點針對D2D PHY（die-to-die物理層，晶片之間傳信號的接口電路）——這是基底晶片上最主要的熱源區域。
三星DS首席技術官Song Jae-hyuk稱，HPB已在HBM4E中落地驗證，透過在晶片上方放置銅質結構構建散熱路徑，熱阻最高可降低16%。
這反映出三星的策略是讓散熱結構融入整體存儲堆疊設計，而非只做一個頂層散熱附件。
SK海力士的方案——將冷卻元件直接塞進封裝裡？
SK海力士5月下旬發佈iHBM方案，將冷卻元件直接集成在HBM封裝內部，計劃用於包括HBM5在內的下一代產品。
其核心部件ICEs是一種導熱性好但電絕緣的硅基材料，被放置在HBM堆疊與GPU之間的D2D PHY區域，可在封裝內部形成額外散熱路徑，熱阻降低30%。
在量產可行性上，iHBM建立在晶圓級封裝工藝和已驗證的MR-MUF技術之上，SK海力士稱這一組合可支撐穩定的大批量生產。
美光走了一條不同的路？
美光沒有將主線放在封裝內散熱路徑上，而是選擇低功耗HBM設計 + TSV溝槽冷卻的差異化方案。
簡單來說＝ 三星和SK海力士是「加散熱器」，美光的思路是「先少產熱，再用特殊通道把熱導走」。
據技術分析平台PatSnap，美光2025年在美國獲批的專利描述了一種電氣無源冷卻TSV（硅通孔，貫穿晶片的垂直導熱柱）結構：TSV只承擔熱傳導功能，與信號TSV在同一封裝面積內對齊排布，不額外佔用晶片面積，與電氣TSV網絡並聯形成低阻垂直熱路徑。
三條路線，邊個更有優勢？
三星HPB主打熱阻降16%，已在HBM4E驗證，優勢是技術成熟度領先。
SK海力士iHBM主打熱阻降30%，數字更高，但量產節奏要看HBM5落地進度。
美光走低功耗路線，差異化明顯，但專利剛獲批，離大規模量產驗證還有距離。
這意味著→ 短期看散熱指標，中期看量產良率和成本，最終勝負取決於誰能在英偉達Vera Rubin平台量產窗口內穩定交付。
Content is for reference only, not financial advice.