三星加速P5 Fab 2建設，記憶體晶片短缺預計延續至2028年
nashnova research
三星將平澤P5 Fab 2動工時間提前半年至2026年7月，並鎖定多年期供應合同；存儲晶片供不應求格局預計延續至2028年甚至更久，設備交付瓶頸成為產能釋放的最大變量。
P5 Fab 2點解要提前半年動工？
三星將P5 Fab 2動工時間從2027年初提前至2026年7月，結構柱安裝定於2027年1月啟動。
這意味著→ 三星判斷AI驅動的存儲需求增速遠超預期，必須搶在供需缺口擴大前加速建廠。
P5 Fab 1已動工、目標2028年投產，Fab 2預計2029年運營；三星還在爭取把一期設備安裝從2027年三季度提前到二季度。
2026年的錢花在邊度？
三星2026年全年資本支出預計約84.4萬億韓元，其中器件解決方案部門佔76.8萬億韓元。
簡單來說＝ 公司將絕大部分資金投入晶片製造，主要流向新廠房和基礎設施。
這反映出三星正以「先砸產能、再填訂單」的邏輯應對這輪AI需求周期。
長期合同鎖咗幾多產能？
三星已與10家主要客戶簽署多年期存儲供應協議，正與另外10家洽談，目標是到2030年將長期協議覆蓋率提升至產能的60%–70%。
高帶寬內存（HBM，一種專為AI晶片設計的高速堆疊存儲）方面，三星2027年目標價格下的可用產能已全部售罄，主要客戶仍在追加訂貨。
SK海力士同樣鎖定了14家主要客戶（含全球雲服務商），覆蓋2027–2028年超50%的總產能，並預計供不應求將持續至2030年。
設備交付瓶頸有幾嚴重？
ASML（全球唯一EUV光刻機供應商）表示，其2027–2028年規劃產能無法完全滿足客戶需求。
該公司計劃2027年將低NA EUV（低數值孔徑極紫外光刻機，當前最先進的量產級光刻設備）及DUV浸沒式光刻機產能提升30%，並研究2028年更大幅度擴產；客戶已提出2029甚至2030年的設備訂單意向。
這意味著→ 就算三星和SK海力士的廠房按時建好，光刻機到不了位，產線也開不起來——設備交付周期已成為決定產能釋放時間的關鍵樽頸環節。
P5一期同二期各做乜？
P5一期聚焦DRAM和HBM生產，設備供應商遴選接近完成，潛在設備訂單規模估計超過10萬億韓元。
二期則討論引入先進NAND製程，交貨周期被認定為決定產能啟動時間的關鍵因素。
簡單來說＝ 一期先做AI最缺的高速存儲，二期再補存儲晶片的另一大品類——兩步走的策略說明三星在產品線上亦做了優先級排序。
呢輪存儲景氣周期可以撐幾耐？
從供給側看，三星和SK海力士的新產能最早2028–2029年才能陸續釋放，設備瓶頸可能進一步推遲時間表。
從需求側看，三星預計AI驅動的存儲需求將在2027年以遠超2026年的幅度超出行業供給。
這意味著→ 供給釋放慢、需求增長快，兩條線至少到2028年才可能交叉——在此之前存儲晶片大概率維持緊缺狀態。真正的驗證節點是：AI需求能否在這段窗口期內持續兌現增量。
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