三星推進1d DRAM研發 2027年底目標試產
Alina Collins
三星電子聯同多家設備商開發第七代1d DRAM製程，目標2027年底啟動初步量產；該製程是其下一代AI高頻寬記憶體HBM5E的核心基礎，量產節奏將直接左右三星在AI存儲賽道的卡位窗口。
1d DRAM是甚麼，比現有技術強在哪？
1d DRAM（第七代10納米級DRAM，電路線寬縮小至約10至11納米）是三星目前最前沿的記憶體製程項目。
上一代1c DRAM線寬約11至12納米；1d再收窄一步，同樣面積可容納更多電路。
這意味著→ 更小線寬帶來更高性能與更低功耗，正正對應AI運算場景對記憶體最核心的兩項要求。
量產時間表到底怎樣排？
三星計劃最早2027年Q2完成設備安裝，2027年底前啟動初步量產。
三星已完成內部預生產評估及早期樣品製造，但多數業內人士認為2027年底才是較為現實的節點。
簡單來說＝ 晶片本身三星已做出樣品，但造它的機器尚未就緒——若干關鍵設備仍在開發中，這才是卡進度的真正樽頸。
為何設備成為最大變數？
1d DRAM所需的部分關鍵製造設備目前仍處於開發階段，三星正與多家合作夥伴聯合推進。
儘管有觀點認為量產可提前至2026年，業界普遍持保留態度——設備未到位，產線便開不起來。
據報道，三星1d DRAM的整體路線圖最早2026年底方能定稿，這意味著→ 在此之前，時間表仍有調整空間。
這跟AI存儲大戰有甚麼關係？
三星計劃以1d DRAM作為第九代高頻寬記憶體HBM5E（一種專為AI晶片設計的超高速堆疊記憶體）的核心裸片。
HBM5E預計2029年前後商業量產；1d DRAM是其上游基礎——底層製程不就位，HBM5E便無從談起。
這反映出一個更大的邏輯：AI存儲的競爭已前移至製程設備層，誰先將1d產線跑通，誰就拿到下一輪卡位的入場券。
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