三星SK海力士推遲HBM混合鍵合導入
Claire Weston
三星與SK海力士雙雙推遲混合鍵合在HBM上的導入節點，最早或延至第七代HBM4E甚至更遲。這意味著現有TC鍵合工藝生命周期延長，圍繞混合鍵合的設備與材料資本開支節奏將整體後移。
混合鍵合為何被推遲？
兩家公司原計劃在HBM4（第六代）引入混合鍵合（一種毋須凸點、直接用銅線將晶片各層連接的工藝），但最終仍沿用傳統TC鍵合（熱壓鍵合，透過加熱令凸點焊料熔化來連接各層）。
混合鍵合的導入節點被推遲至16層HBM4E（第七代），部分業內人士認為實際時間可能還要更遲。
這意味著→ 圍繞混合鍵合佈局的設備商和材料商，收入兌現窗口被整體拉長，短期資本開支節奏需要重新評估。
厚度標準放寬——TC鍵合為何還能繼續用？
HBM行業厚度標準正逐步放寬：HBM3E為720微米，HBM4已上調至775微米；JEDEC（國際半導體標準化機構）正討論將20層HBM5的上限從900微米放寬至約1000微米。
簡單來說＝ 厚度天花板抬高了，層與層之間的間距毋須壓到極限，TC鍵合的凸點結構仍然裝得下，技術壓力隨之減輕。
與此同時，英偉達等核心客戶對高堆疊HBM的需求時間表亦見後移。業內人士稱：即便在HBM4E中，12層產品也很可能繼續佔主導，16層的討論並不活躍。
散熱問題不靠混合鍵合也能解決？
混合鍵合的另一大賣點是改善散熱，但兩家公司已各自開發替代方案：三星推出HPB（熱路徑模組），SK海力士推出iHBM（ICE HBM），目前均針對HBM5進行測試。
封裝行業人士表示，在HBM晶片旁配置散熱器件技術難度不大，商業化不存在障礙。
這反映出混合鍵合在散熱維度的「不可替代性」已被削弱，存儲器公司有了更穩妥的過渡路徑。
混合鍵合最終還會來嗎——甚麼才是真正的觸發點？
HBM4已將I/O數量從HBM3E的1024個翻倍至2048個。TC鍵合在凸點熔化時會橫向擴散，被認為難以支撐更高密度的I/O。
業界正在討論從HBM5E起將I/O再翻倍至4096個，届時I/O間距極為緊密，混合鍵合將成為必要選項。
說白了＝ 混合鍵合不是被放棄，而是被推遲——它的真正商用窗口，取決於I/O密度何時逼到TC鍵合的物理極限。在那之前，舊工藝還能再撐幾代。
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