三星SK海力士升級中國廠產更先進NAND晶片
nashnova research
三星與SK海力士正升級各自中國工廠，將NAND閃存晶片推向286層和240層以上，以應對長江存儲擴張和AI需求——但升級能否落地，取決於美國出口許可這一懸而未決的變量。
三星西安廠要做甚麼？
三星西安廠約佔其全球NAND產能的40%，目前生產約200層晶片。
內部代號「Monami」的改造項目，目標是切換至286層V9 NAND——這意味著→ 西安廠要追平韓國本土最先進的產線水平，而非僅僅維持現狀。
時間表：2025年12月月產5,000片晶圓起步，2027年12月爬坡至月產4萬片。
三星強調此次升級「不涉及產能擴張或新建廠房」，旨在滿足包括美國客戶在內的全球需求。
SK海力士大連廠怎樣跟進？
大連廠生產192層NAND，是SK海力士2021年收購英特爾NAND業務所得，也是旗下Solidigm品牌唯一的NAND製造基地。
計劃切換至240層或更高層數產品；已獲授權生產最高240層晶片。
SK海力士還可能向美國政府申請在大連開展300層以上晶片的研發——簡單來說＝ 大連廠不只是做量產升級，還想成為下一代技術的試驗場，為潛在的美國本土新廠奠定技術基礎。
Solidigm正籌備在美國進行IPO，大連廠的技術升級進度直接影響上市估值的説服力。
為甚麼現在必須升級？
長江存儲（中國本土NAND龍頭）快速擴張，正持續蠶食三星和SK海力士的市場份額。
AI數據中心對高層數NAND的需求旺盛——層數越高，單位面積存儲密度越大，數據中心的存儲成本越低。
這反映出一個競爭格局的變化：若韓企在中國廠不升級，產線便會落後於長江存儲，等於把中國市場的份額拱手讓出。
最大的不確定性是甚麼？
自2022年起，美國對部分晶片製造設備實施出口管制；三星和SK海力士若需在中國工廠安裝美國製造的刻蝕機（在晶片上刻出電路圖案的關鍵設備）等，須每年申請許可證。
美國商務部工業和安全局2025年曾表示，不打算批准外資晶片廠在中國升級技術或擴大產能的許可申請，但會批准維持現有工廠運營的申請。
這意味著→ 政策口徑本身就有張力——「不批升級」與「批維持運營」之間的灰色地帶，恰恰是三星和SK海力士正在試探的空間。
路透社稱目前無法確認美國當局已就相關設備出口許可給予何種程度的批准——這一變量懸而未決，是整件事最大的風險點。
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