三星押注zHBM，目標性能超HBM5八倍
nashnova research
三星披露zHBM垂直堆疊架構，將記憶體直接疊在AI加速器正上方，目標性能達HBM5的八倍、每瓦性能提升最高三倍——這意味著三星正從「做更快的記憶體」轉向「重新設計記憶體在系統裡的位置」。
zHBM到底在解決甚麼問題？
現時的HBM（高頻寬記憶體，AI晶片旁邊負責餵數據的模組）是平放在加速器旁邊的，數據要走一段橫向路徑才能到達處理器——這段路既耗電又限制頻寬上限。
三星的zHBM把記憶體直接疊到加速器正上方，數據垂直傳輸，路徑大幅縮短。簡單來說＝從「隔壁房間遞文件」變成「樓上直接扔下來」。
這意味著→ 頻寬上限和能耗瓶頸同時被改善：三星給出的目標是性能約為HBM5的八倍，每瓦性能最高提升三倍，熱阻降低逾50%。
三星打算怎樣造出來？
製造工藝的核心是晶圓對晶圓集成（把兩片完整晶圓直接對準貼合）加混合銅鍵合（用銅柱把上下兩層的電路直接焊在一起），實現更密、更短的互連。
記憶體疊到加速器上方後，不同加速器對頻寬、容量、散熱的要求各不相同，這意味著→ 記憶體不能再是「一款通用產品」，而必須跟加速器協同定制。
zHBM架構還允許在記憶體與加速器之間的中間層嵌入定制IP，按需擴展容量或針對特定工作負載做優化——這反映出三星想把zHBM做成一個可配置的平台，而不僅僅是一顆晶片。
zNAND-O又是甚麼角色？
三星同步推進的zNAND-O是一種高性能NAND架構，定位在DRAM和傳統NAND儲存之間——說白了＝速度接近記憶體、容量接近硬碟、成本遠低於DRAM。
三星估算，到2030年工作站級系統普遍運行約1萬億參數模型時，若全用DRAM供給，成本極高；引入zNAND-O可將記憶體成本降至純DRAM方案的約六分之一。
目標規格：讀取延遲低於3微秒，頻寬高於200 GB/s，功耗在該頻寬下低於10瓦，計劃2028年開始樣品供應。
兩條產品線拼在一起，三星想說甚麼？
zHBM解決的是速度和能效——把最快的記憶體貼到處理器頭頂；zNAND-O解決的是容量和成本——把大塊數據放到便宜但夠快的層級。這意味著→ 兩者合在一起，構成一套按「數據離處理器多遠」分層的記憶體體系。
這反映出三星記憶體戰略的整體轉向：單純靠堆疊更多HBM層來提升性能的空間正在收窄，三星把重心轉移到了記憶體放在哪裡、跟計算怎樣集成、數據怎樣在層級間分佈。
關鍵節點：zHBM能否如期推進至量產，將直接驗證這條架構路線的商業可行性。
系統級目標：每用戶每秒1000 token意味著甚麼？
三星副總裁金仁東在AI基礎設施峰會上提出的系統目標是：將AI系統響應吞吐量從每用戶每秒約100個token提升至1000個token。
簡單來說＝現時大模型回答一個問題的速度，三星希望快十倍——這不是單靠晶片能做到的，必須記憶體、封裝、架構一起動。
這意味著→ zHBM和zNAND-O不是孤立的記憶體產品升級，而是三星為實現這個系統級性能目標所設計的基礎設施方案。
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