三星推遲High-NA EUV量產至1nm節點，約2030年落地
Nashnova编辑部
三星將High-NA EUV光刻的量產時間從原定2nm節點推遲至1nm級、約2030年，届時仍與傳統EUV並行而非全面替換——三大晶圓廠的路線分化，正在重塑這項單台4億美元設備的普及節奏。
推遲到幾時、推遲了多少？
三星原計劃在2nm和1.4nm節點引入High-NA EUV，現在推遲到A10及以下節點（即1nm級），預計約2030年才量產。
三星研究員朴昌民在2026年8月11日NGL 2026大會上披露了路線圖調整，原因是相關技術工作尚未完成。
這意味著→ 三星的High-NA時間表比英特爾遲了約4年，比自己此前的計劃也推遲了至少一代節點。
「引入」不等於「全面替換」——這句話為何重要？
三星明確：即使到了1nm節點，傳統EUV（數值孔徑0.33）的多重曝光仍是主流圖案化方案，High-NA只是部分層次導入。
簡單來說＝ High-NA EUV將「鏡頭」從0.33放大到0.55，理論上能少刻幾次就刻出更幼細的線路——但三星認為目前還不能靠它扛全場。
核心瓶頸不止光刻機本身：單台設備約4億美元（傳統EUV的兩倍），配套的掩膜版、防護膜等支撐技術也尚未成熟。
英特爾和台積電走的是甚麼路？
英特爾已率先量產：在Intel 18A工藝上用High-NA EUV出貨了部分「Panther Lake」酷睿Ultra 3處理器，是全球首家以該技術出貨高量邏輯產品的企業。
台積電選擇第三條路徑：繼續挖掘傳統EUV的擴展潛力，不急於轉向High-NA。副聯席COO張曉強表示，在維持激進縮放路線圖的同時充分利用現有EUV技術，是台積電研發組織的核心優勢。
台積電迄今未公開披露哪一節點將首次使用High-NA。
三條路線分化，對市場意味著甚麼？
三大晶圓廠路線各異：英特爾已量產、三星推遲到2030年、台積電按兵不動——這意味著→ High-NA EUV的實際普及節奏遠慢於設備商的預期。
這反映出 一個更深層的信號：當單台設備貴到4億美元、配套技術又未跟上時，「更先進」不等於「更經濟」，晶圓廠會用腳投票。
對設備供應商ASML而言，三家客戶的分化直接影響其High-NA訂單結構和出貨時間表——需求確定性正在下降。
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