三星推遲High-NA EUV至2030年，SK海力士同步擴展路線圖
Nashnova编辑部
三星將High-NA EUV光刻量產推遲至2030年配合1納米制程，較原計劃明顯滯後；SK海力士則提前引入設備並啟動研發，兩家韓國巨頭的路線分歧折射出這項技術商業化的深層不確定性。
High-NA EUV係乜嘢，三星點解要推遲？
High-NA EUV（新一代晶片曝光技術，將光刻鏡頭的「放大倍率」提升，刻出更幼細的電路）把數值孔徑從0.33推高到0.55，解像度更高，有望減少重複曝光步驟。
三星原本打算在2納米同1.4納米節點就導入，但配套材料（掩模版、防護膜）開發難度太大，兩個節點都未能如期落地。
這意味著→ High-NA EUV的量產首秀要等到2030年前後，届時先隨1納米制程一齊導入。簡單來說＝ 機器早就造好，但「耗材」跟唔上，成條產線就開唔到工。
三星的量產節奏而家係點？
2納米制程已完成商業化，係目前最先進的在產節點。
1.4納米（SF1.4）計劃2029年啟動量產，增強版SF1.4+同1納米制程預計2030年跟進。
High-NA EUV的時間線與1納米對齊——這反映出三星將呢項技術定位為「亞1納米時代的入場券」，而非當下制程的提速工具。
台積電點睇呢件事？
台積電2025年曾明確表態：其A14制程及後續增強版本毋須High-NA EUV都可以生產。
台積電的態度係「只有當佢能帶來可量化的收益先至會採用」。
這意味著→ 全球最大的兩家邏輯晶片代工廠（三星+台積電）都對High-NA EUV踩煞車，說明呢個唔係單一廠商的問題，而係成個行業的技術成熟度不足。
SK海力士點解反而加速？
SK海力士2025年下半年已引入High-NA EUV設備，計劃2026年啟動研發——比三星的量產時間表早咗好幾年。
同時，SK海力士開始採用相移掩模（PSM）技術（一種利用光的相位差嚟提升曝光清晰度的方法），先將現有EUV的性能榨盡。
簡單來說＝ SK海力士的策略係「一邊用舊技術的升級版頂住，一邊搶先摸索新技術」，同三星「等配套成熟先上」的思路截然不同。
呢場分歧說明咗乜嘢？
三星推遲 + 台積電觀望 = 行業共識係High-NA EUV仲未準備好量產，樽頸位在材料同工藝，唔在設備本身。
SK海力士提前佈局的賭注在於：如果配套材料快過預期成熟，佢就可以搶到制程領先優勢。
這反映出一個更深的信號：ASML的設備已出貨多年，但由「能用」到「能量產賺錢」之間的距離，遠比市場最初預期的要長。
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