三星電子首次展示高頻寬記憶體HBM5
N.R. Finch
三星在台北Computex 2026上首次公開展示第8代高頻寬記憶體HBM5，距HBM4量產僅五個月；這一節奏表明三星正試圖在AI存儲賽道上從追趕者轉為技術敘事的主導者。
HBM5是甚麼，為何現在就拿出來？
HBM5是高頻寬記憶體（一種專為AI晶片設計的超高速顯存）的第8代產品，三星在Computex 2026上首次展出實物。
關鍵時間差：HBM4今年2月才剛量產出貨，五個月後下一代便公開亮相。這意味著→ 三星並非「按部就班迭代」，而是在主動壓縮產品節奏，搶在對手之前定義技術方向。
HBM5對應的終端平台是NVIDIA下一代GPU架構「費曼（Feynman）」，市場預計2028至2029年才量產。簡單來說＝ 三星展示的是一塊兩三年後才上市的晶片，目的不是賣貨，是卡位。
技術上比HBM4強在哪裡？
核心堆疊存儲沿用1c DRAM（10納米級第6代），但基底晶片（Base Die，整個堆疊結構的「地基」）將升級至三星晶圓代工的2納米工藝——這是與HBM4的關鍵差異。
理論性能躍升明顯：單棧頻寬預計達4TB/s，IO介面寬度擴展至4096位，單棧容量最高可至80GB。
這意味著→ 對比HBM4的3.3TB/s，HBM5頻寬再提升約21%，同時容量天花板大幅抬高——AI模型愈來愈大，記憶體必須跟上。
三星目前的市場地位如何？
現實很直白：2025年第二季，SK海力士全球HBM市佔率約62%，三星僅約17%，差距懸殊。
HBM3E周期的良率問題曾令三星失去NVIDIA核心訂單。直到今年HBM4通過NVIDIA、博通、AMD三大客戶測試，客戶信任才逐步重建。
三星預計今年HBM銷售額將超過2025年的三倍。這反映出 HBM4的客戶突破正在轉化為實際收入，但與SK海力士的份額差距依然巨大。
混合鍵合——決定成敗的技術變量是甚麼？
混合鍵合（Hybrid Bonding，一種令兩塊晶片直接銅面對銅面貼合的工藝）是HBM5能否如期落地的核心不確定因素。
理論性能優勢明顯，但該工藝對生產環境要求極為苛刻，良率爬坡存在較大不確定性。簡單來說＝ 實驗室裡做得出來，同工廠裡穩定批量生產，是兩回事。
這意味著→ 若三星能在HBM4E到HBM5的迭代周期內攻克良率，便有望在20層以上堆疊的高端市場重新確立競爭優勢；若攻不下來，與SK海力士的差距可能再度拉大。
再往後看，三星的路線圖還有甚麼？
HBM5之後是第9代HBM5E，核心堆疊存儲計劃升級為1d DRAM（10納米級第7代），目前仍處於內部研發階段。
Computex同期，NVIDIA CEO黃仁勳亦出席台北展會，市場關注雙方在下一代記憶體合作上的進一步表態。
這反映出 AI存儲賽道已不僅是「誰先量產」的比拼，更是「誰能綁定下游GPU平台的技術路線」——三星提前亮出HBM5，本質上是向NVIDIA和整個市場喊話：我們的節奏跟得上。
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