三星申請zHBF商標，佈局NAND高頻寬記憶體新賽道
Nashnova编辑部
三星電子申請zHBF商標並將其列入公開技術路線圖，正式進入基於NAND的高帶寬快閃儲存賽道——這條賽道被視為HBM的容量補充層，SK海力士與閃迪已率先推動標準化。
HBF到底是甚麼，為何現在冒出來？
HBF（高帶寬快閃儲存，一種用NAND快閃晶片堆疊出來的高速大容量儲存）定位在HBM與傳統固態硬碟之間，是一個全新的儲存層級。
這意味著→ AI推理所需數據量愈來愈大，單靠HBM（速度快但容量小、價格貴）已經餵不飽處理器，需要一層容量更大、帶寬也夠用的儲存來補位。
簡單來說＝ HBM是「小而快的水杯」，HBF是「大而夠快的水桶」——AI推理兩個都需要。
標準化走到邊了，誰在主導？
SK海力士與閃迪透過開放計算項目（OCP）率先推進HBF規範，首份技術規格已於2026年8月3日發佈，谷歌和AI晶片商Tenstorrent參與制定。
該規範定義了8層和16層兩種NAND堆疊配置，容量最高512GB，帶寬分三檔、範圍約0.4TB/s至3.0TB/s，接口採用UCIe（通用小晶片互聯快速接口，讓不同晶片之間高速溝通的標準插口）。
閃迪計劃2026年下半年提供首批HBF樣品，搭載HBF的AI推理設備樣品預計2027年初推出。
三星的zHBF是甚麼來頭？
三星近期申請zHBF商標，緊隨其在FMS 2026上發佈的zHBM和zNAND-O概念模型之後。這意味著→ 三星正在構建一套「z系列」儲存家族，覆蓋從記憶體到快閃儲存的多個層級。
zHBM的思路是把HBM垂直堆疊在AI加速器正上方，縮短數據搬運距離；zNAND-O是下一代高性能NAND架構，目前有四層和八層版本在研發。
但三星尚未說明zHBF是否沿用zHBM的垂直堆疊方案，也未確認它與zNAND-O的技術關聯——架構細節仍是空白。
9月1日的演講能揭開多少？
SEMICON Taiwan 2026議程顯示，三星儲存產品規劃負責人崔章錫將於9月1日演講，題目為「以3D集成賦能AI時代」，明確列出zHBM、zHBF及3D封裝三項核心技術。
這是zHBF首次出現在三星公開技術路線圖中。
但三星與主辦方均未承諾屆時會公開多少技術深度——架構設計、性能參數和商業化時間表目前全部未披露。
競爭格局怎麼看？
SK海力士與閃迪憑藉OCP標準制定，在HBF賽道上已建立先發優勢。
三星的關鍵問題是：zHBF能否在規格和生態上形成差異化，還是只能追趕已有標準。
這反映出儲存行業正從「HBM一條腿走路」轉向多層級並行的新格局——誰先把HBF做成可量產方案，誰就拿下AI推理儲存的下一張門票。
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