三星：HBM明年將佔行業DRAM產能近30%

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三星高管稱HBM將於2027年佔DRAM晶圓總產能近30%，較目前約20%大幅提升——這意味著標準DRAM的供給空間正被AI存儲需求系統性擠壓。

HBM產能佔比從20%跳到30%，這個數字代表甚麼？

三星電子執行副總裁金泰宇周二表示，HBM預計2027年佔行業DRAM晶圓總產能近30%，目前水平約為20%。

這意味著→ 不到兩年時間，每10片DRAM晶圓中將有近3片專門用於生產HBM，比現在多出約一半。

簡單來說＝ DRAM產線上的「地盤」正被HBM快速搶佔，留給普通記憶體的空間愈來愈小。

HBM與標準DRAM共用同一晶圓產能——兩者並非獨立生產線，而是在同一條線上「爭位」。

這意味著→ HBM每多產一片晶圓，標準DRAM就少產一片，兩者之間是此消彼長的結構性競爭關係。

這反映出AI對存儲行業的拉動並非「額外增量」，而是在重新分配現有產能的優先次序。

HBM（高頻寬記憶體，一種將多層晶片垂直堆疊的記憶體）是AI運算的核心存儲組件，能讓處理器以極高速度存取大量數據。

目前該市場由三家公司主導：韓國SK海力士、三星電子及美國美光。

簡單來說＝ AI晶片算得快，但數據跟唔上就白算——HBM就是負責「高速餵數據」的關鍵零件。

HBM產能佔比能否如期從20%升至30%，是驗證AI算力需求能否持續拉動存儲行業結構性轉變的關鍵節點。

這意味著→ 若數字如期兌現，標準DRAM供給收緊幾乎不可避免，記憶體價格中樞可能被動抬升。

反過來，若HBM擴產不及預期，則說明AI需求的拉動力度被高估——對三大廠商的資本開支邏輯都是考驗。

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