三星HBM4良率升至近80%，與SK海力士產能競爭加劇
Alina Collins
三星HBM4良率從量產初期不足60%升至近80%，比業界預期提前數月；SK海力士同處80%區間，兩大巨頭的競爭焦點正從技術規格轉向產能與交付穩定性。
良率80%代表甚麼？
三星HBM4良率（每批晶片中合格品的比例）在半年內從不足60%拉升至近80%，據首爾經濟日報8月10日報道，比業界此前預期的2026年底提前數月。
這意味著→ 三星的量產瓶頸正在快速打通，每片晶圓能產出更多可用晶片，單位成本隨之下降。
SK海力士HBM4良率同樣達到80%區間，兩家站在同一水平線——競爭從「誰先做出來」轉向「誰能穩定大批量交貨」。
三星靠甚麼追趕？
HBM4採用第六代10納米級（1c）DRAM工藝，配合4納米邏輯基底晶片，穩定傳輸速率11.7Gbps，可擴展至13Gbps。
簡單來說＝ 三星把自家存儲廠與晶圓代工廠拉通協作，從設計階段便聯合優化，再加上自有封裝產線，縮短了從晶片到成品的生產週期。
產能方面，三星正在華城園區啟用閒置潔淨室擴產DRAM，同時在平澤P4廠增加HBM專用的1c DRAM產能，平澤額外設施已開始準備。
第三季營收能翻三倍嗎？
三星預計HBM4營收將在第三季環比增長逾兩倍，這一增速有望推動其HBM市佔率向整體DRAM份額靠攏。
這意味著→ 若能兌現，三星將從HBM市場的追趕者變為與SK海力士正面分庭抗禮的角色。
路透社另據報道，三星預計更廣泛的晶片短缺將持續至2028年前——這反映出HBM需求不僅沒有放緩，供給缺口反而可能繼續擴大。
HBM4E——下一回合誰領先？
三星今年5月已向主要客戶送樣12層HBM4E：穩定速率每引腳14Gbps、可擴展至16Gbps，單堆疊頻寬高達3.6TB/s，容量48GB。
與HBM4相比，HBM4E能效提升16%，熱阻改善逾14%，同樣採用1c DRAM + 4納米邏輯基底的組合。
SK海力士6月跟進推出12層HBM4E樣品，速率同樣可達每引腳16Gbps，其Advanced MR-MUF封裝（一種將多層晶片用特殊材料壓合並散熱的技術）可將熱阻降低17%。
接下來看甚麼？
兩家良率同步站上80%後，大規模可靠交付能力成為決定市場格局的核心變量。
簡單來說＝ 技術參數已經非常接近，誰能先把產線開滿、按時按量交貨，誰就拿到更多訂單。
近期最關鍵的驗證節點：三星第三季HBM4出貨量能否支撐「營收翻三倍」的預期，以及HBM4E的量產時間表是否按計劃推進。
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