三星HBM4E良率超70%，第七代AI記憶體開發趨穩
Taylor Wilson
三星電子第七代高頻寬記憶體HBM4E可靠性測試良率突破70%，距量產成熟門檻80%仍有差距，但開發節奏正加速收斂——能否按時切入輝達下一代AI加速器供應鏈，是接下來的核心懸念。
70%的良率，到底代表甚麼？
三星首席技術官宋在赫在DS部門內部經營說明會上披露：HBM4E（高頻寬記憶體第七代產品）可靠性測試良率已突破70%。
業界通常將80%視為工藝成熟的「成熟良率」門檻。這意味著→ HBM4E尚未達標，但已進入從「調試期」向「量產準備期」過渡的區間。
簡單來說＝ 10顆晶片裡有7顆通過測試，還不夠穩定到大規模出貨，但方向對了、速度在加快。
HBM4E要裝進哪款晶片？
在輝達的產品路線圖上，HBM4將搭載於下半年推出的AI加速器Vera Rubin；HBM4E作為後繼產品，計劃裝配於明年發佈的Vera Rubin Ultra。
這意味著→ HBM4E的良率爬坡節奏，直接決定三星能否按時進入輝達下一代供應鏈。
三星今年2月率先量產第六代HBM4，5月29日公開HBM4E 12層產品技術規格並向主要客戶發送樣品，目前樣品評估正在推進。
D1d工藝為何重要？
宋在赫同時透露：下一代10納米級第七代DRAM工藝D1d計劃於今年11月完成生產準備認證（PRA）。PRA（生產準備認證，量產前最後一道內部質量評估）通過後即可正式切入量產。
三星計劃從第八代HBM5起全面引入D1d工藝。這意味著→ D1d不只是一顆DRAM的工藝升級，而是整條HBM產品線下一輪競爭力的基礎。
簡單來說＝ D1d就像下一代HBM的「地基」——地基不過關，上面蓋甚麼都不穩。
內部薪酬矛盾會不會拖後腿？
說明會後，三星DS部門研發人員對角色認定與薪酬結構的不滿有所升溫。
勞資雙方此前已約定以營業利潤10.5%設立「特別經營績效獎金」，但存儲業務與研究所等公共部門、以及非存儲業務之間的獎金差距較大，改善呼聲持續擴大。
這反映出 三星正同時面對技術追趕和組織穩定兩條戰線——研發節奏能否不受內部摩擦影響，是隱性風險。
接下來盯甚麼？
節點一：HBM4E良率能否在量產前跨越80%成熟門檻。
節點二：D1d工藝能否在11月順利通過PRA認證。
簡單來說＝ 這兩道關卡就是三星下一代AI記憶體競爭力能否兌現的「期末考試」——過了才算數。
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