三星率先实现900层NAND，千层时代进入倒计时

根据韩国半导体业界消息，三星电子最近使用“晶体多重键合”技术，将两片450层晶体晶圆合并为一，成功构建出900层级V-NAND集成系统，成为全球首家实现这一技术里程碑的企业。三星方面确认，该原型已通过“正常晶体动作特性”验证，并不是停留在理论堆叠，而是达到了实际可驱动水平。

在当前量产市场，SK海力士以321层4D NAND领先。三星今年一方面推进第十代V-NAND（400层以上）的量产准备，另一方面在研发阶段一举突破900层，技术代差之大令业界侧目。

此次技术突破的核心难题在于克服两大物理障碍。随着堆叠层数增加，晶圆翘曲变形问题日趋严峻，三星通过引入高精度上部卡盘设计予以解决；键合过程中的微小对准偏差，则由自研的全新叠加校正技术加以克服。新引入的位线与字线结构同步实现了功耗与芯片面积的双重压缩。

在战略意义层面，长江存储在政府支持下加速300层级量产，一旦实现将对韩国厂商形成价格压制。业界人士指出，900层NAND并不是300层的简单三倍，而是彻底改变堆叠工艺范式的技术跃迁，将向全球客户传递三星技术领导力依然稳固的信号，并有效压缩中国厂商的价格竞争空间。

三星自从2013年率先商用3D V-NAND以来持续推进制程演进，此次900层原型的实现，意味着千层NAND时代已进入倒计时。